基于活性層及介電層改性的有機(jī)薄膜晶體管研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩65頁未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、無機(jī)電子器件問世以后,基于有機(jī)半導(dǎo)體的電子器件的應(yīng)用前景隨著時間的推移而越發(fā)廣闊,比如有機(jī)發(fā)光二極管、有機(jī)薄膜晶體管等納米器件。其中,有機(jī)場薄膜晶體管,簡稱organic thin-film transistor(OTFT),在經(jīng)歷了多年的調(diào)查研究后,逐漸映入大眾眼簾,如今對于OTFT的追求之一在于進(jìn)一步地縮短響應(yīng)時間提升其性價比,諸多的努力也使得OTFT在環(huán)境生物等領(lǐng)域的傳感檢測方面有用武之地。
  本文采用了旋涂和蒸鍍的方法在

2、硅基底上制備了OTFT,研究了P3HT、TII(Na)2和TII(BFu)2三種有機(jī)活性層和不同的介電修飾層材料對器件電學(xué)性能的影響,并研究了OTFT在傳感檢測領(lǐng)域的應(yīng)用。將不同有機(jī)活性層材料進(jìn)行對比分析,討論了其光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)。將不同濃度的活性層材料進(jìn)行摻雜制備OTFT,討論了其電學(xué)性能、表面形貌、晶相變化和機(jī)理。將用不同材料修飾介電層的OTFT進(jìn)行對比分析,討論了其電學(xué)性能、表面形貌、穩(wěn)定性和檢測范圍。其主要結(jié)論和成果如下:

3、  (1)新型小分子材料TII(Na)2和TII(BFu)2擁有良好的光學(xué)和電學(xué)特性,做為OTFT的活性層可以取得10-3cm2V-1s-1以上的載流子遷移率和104以上的電流開關(guān)比;
 ?。?)在TII(BFu)2中摻入不同比例的經(jīng)典活性層材料P3HT發(fā)現(xiàn),當(dāng)P3HT摻雜濃度為20%時,器件獲得最佳的電學(xué)性能,載流子遷移率達(dá)到1.83×10-2cm2V-1s-1,開關(guān)比達(dá)到極高的104.4,且閾值電壓始終保持在較低值,活性層結(jié)晶

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論