基于活性層及介電層改性的有機(jī)薄膜晶體管研究.pdf

1、無機(jī)電子器件問世以后，基于有機(jī)半導(dǎo)體的電子器件的應(yīng)用前景隨著時間的推移而越發(fā)廣闊，比如有機(jī)發(fā)光二極管、有機(jī)薄膜晶體管等納米器件。其中，有機(jī)場薄膜晶體管，簡稱organic thin-film transistor(OTFT)，在經(jīng)歷了多年的調(diào)查研究后，逐漸映入大眾眼簾，如今對于OTFT的追求之一在于進(jìn)一步地縮短響應(yīng)時間提升其性價比，諸多的努力也使得OTFT在環(huán)境生物等領(lǐng)域的傳感檢測方面有用武之地。
　　本文采用了旋涂和蒸鍍的方法在

2、硅基底上制備了OTFT，研究了P3HT、TII(Na)2和TII(BFu)2三種有機(jī)活性層和不同的介電修飾層材料對器件電學(xué)性能的影響，并研究了OTFT在傳感檢測領(lǐng)域的應(yīng)用。將不同有機(jī)活性層材料進(jìn)行對比分析，討論了其光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)。將不同濃度的活性層材料進(jìn)行摻雜制備OTFT，討論了其電學(xué)性能、表面形貌、晶相變化和機(jī)理。將用不同材料修飾介電層的OTFT進(jìn)行對比分析，討論了其電學(xué)性能、表面形貌、穩(wěn)定性和檢測范圍。其主要結(jié)論和成果如下：

3、　　（1）新型小分子材料TII(Na)2和TII(BFu)2擁有良好的光學(xué)和電學(xué)特性，做為OTFT的活性層可以取得10-3cm2V-1s-1以上的載流子遷移率和104以上的電流開關(guān)比；
　?。?）在TII(BFu)2中摻入不同比例的經(jīng)典活性層材料P3HT發(fā)現(xiàn)，當(dāng)P3HT摻雜濃度為20％時，器件獲得最佳的電學(xué)性能，載流子遷移率達(dá)到1.83×10-2cm2V-1s-1，開關(guān)比達(dá)到極高的104.4，且閾值電壓始終保持在較低值，活性層結(jié)晶