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文檔簡介
1、隨著摩爾定律的不斷延續(xù),半導體芯片的集成度越來越高,單位面積內的晶體管數量也越來越多,隨之而來的就是線寬的不斷減小,這也就對半導體光刻設備的解析度和套刻精度的要求越來越高。為了滿足這些要求,光刻機由最開始的步進式光刻機發(fā)展到步進掃描式光刻機,再到當前市場主流的浸潤式光刻機,解析度由最開始的微米級發(fā)展到納米級,套刻精度也由最初的幾微米發(fā)展到目前最新為2.5納米套刻精度的光刻機。與此同時,由于精度的不斷提高,對光刻機內部各部分運動的同步性要
2、求就越來越高,業(yè)內提出了同期精度這個用來評價光刻機各部分運動同步性的指標,相關理論與評價方法受到廣泛研究。由此本文將尼康NSR-S204掃描光刻機作為對象,研究機臺的同期精度測量評估及同期精度控制方法。
本文闡述了掃描光刻機的曝光系統(tǒng)、坐標系統(tǒng)、動態(tài)曝光操作方式、同步控制技術等基本結構和原理,在此基礎上進一步分析了同期精度概念和評價方法。將這些理論和方法用于尼康NSR-S204掃描光刻機,對設備的誤差值、平均值、移動標準差、快
3、速傅立葉變換等關鍵參數的采集和分析,實現(xiàn)了同期精度的快速評估。進一步的,針對工程項目中出現(xiàn)的同期精度評估不合格情況,結合設備故障現(xiàn)象,通過抓取的數據分析出問題所在,逐步排除故障問題點,然后發(fā)現(xiàn)問題源頭所在,并通過對比發(fā)現(xiàn)所有NSR-S204機臺都存在相同隱患,最后制定了光刻機改造方案并加以實施。
改造后的光刻機經用戶測試和現(xiàn)場實際使用,結果表明,本次改造非常成功,從根本上消除了類似同期精度問題的再次發(fā)生,減少了停機時間的同時,
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