氧化鋅基納米復(fù)合材料的制備及其光催化性能的研究.pdf

1、近年來(lái)，環(huán)境污染問(wèn)題愈發(fā)嚴(yán)重，目前解決這一問(wèn)題有效的方法之一是利用光催化降解技術(shù)來(lái)降低有機(jī)污染物對(duì)于環(huán)境的污染。半導(dǎo)體光催化劑因具有特殊的性能而引起了人們的關(guān)注，其中ZnO因具有化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、無(wú)毒、易制備，且光敏性能強(qiáng)、禁帶能級(jí)寬(3.37 eV)、氧化能力強(qiáng)等特點(diǎn)，是應(yīng)用較多的光催化材料之一。但是，ZnO的電子-空穴對(duì)復(fù)合率比較高，并且它的光響應(yīng)范圍主要集中在紫外光區(qū)域。而將ZnO與某些窄帶隙的半導(dǎo)體材料復(fù)合可以有效改善其光催化性能。

2、CdS因具有高的光吸收率和與ZnO相似的晶格結(jié)構(gòu)而作為首選復(fù)合材料之一。
　　本論文采用兩步法制備了ZnO/CdS核殼結(jié)構(gòu)納米復(fù)合材料，首先利用水熱法在Si片上生長(zhǎng)ZnO納米線，研究了籽晶層、前驅(qū)體濃度、聚乙烯亞胺(PEI)濃度對(duì)ZnO納米線結(jié)構(gòu)及形貌的影響，并制備出長(zhǎng)徑比為35、沿c軸生長(zhǎng)的ZnO納米線；其次對(duì)此條件下生長(zhǎng)的ZnO納米線進(jìn)行離子交換實(shí)驗(yàn)以制備ZnO/CdS核殼結(jié)構(gòu)納米復(fù)合材料，并研究了離子交換時(shí)間和反應(yīng)液濃度對(duì)Z