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文檔簡介
1、紫外光探測和壓電性能研究一直是ZnO一維納米結(jié)構(gòu)在光、電領(lǐng)域研究的重點(diǎn)課題。本文以基于線狀金屬絲襯底的pn結(jié)為出發(fā)點(diǎn),分別進(jìn)行了基于線狀Ni絲上的p-NiO/n-ZnO納米線異質(zhì)結(jié)的制備、形貌分析、光電性能和壓電性能測試和研究等工作。其主要結(jié)果如下:
?。?)利用簡單快捷的化學(xué)氣相沉積法在鍍金的Ni/NiO絲上成功制備了長約5μm,直徑在30nm左右的ZnO納米線;在-5V-5V范圍內(nèi),Pt絲和ZnO的接觸為歐姆接觸,不會(huì)對(duì)本實(shí)
2、驗(yàn)所測結(jié)果的分析造成影響。ZnO納米線的吸收曲線表明用365nm的紫外光照射器件會(huì)得到較強(qiáng)的光電響應(yīng),最后分析了ZnO納米線的生長機(jī)理。
?。?)該結(jié)構(gòu)的PL譜在380nm附近有較強(qiáng)的近帶邊發(fā)射(NBE)峰,而在520nm附近的深能級(jí)(DLE)峰的強(qiáng)度則可忽略不計(jì),其結(jié)果表明該ZnO納米線有著比較高的結(jié)晶度和較少的缺陷。對(duì)p-NiO/n-ZnO納米線異質(zhì)結(jié)的紫外探測性能研究表明,在1 V偏壓下,該器件對(duì)高壓汞燈發(fā)射的365nm紫
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