幾種功能材料的高效能制備與性能表征.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、微波加熱技術是靠被加熱物質吸收微波場中的電磁波,將微波能轉化為物質的熱能,以達到升高被加熱物質溫度的一種加熱技術。它具有整體性加熱、受熱均勻、選擇性加熱和加熱即時性等特點,是傳統(tǒng)加熱方式所無法具備的。因此,將微波加熱技術應用與材料的高效合成領域,具有十分重要的意義。
  本論文以微波加熱合成技術為基礎,并結合傳統(tǒng)的熱壓工藝,研究并改進了Si基熱電材料Mg2Si0.5875Sn0.4Sb0.0125和MnSi1.74的制備合成工藝,

2、以及納米材料二硫化鉬的微波合成。并對其進行表征。主要結果如下:
  (1)熱電材料Mg2Si0.5875Sn0.4Sb0.0125化合物的高效合成及表征
  本研究分別以一步熱壓反應法和微波加熱合成技術為基礎,探索熱電材料Mg2Si0.5875Sn0.4Sb0.0125化合物的高效制備工藝。并對所獲得的樣品進行物相和熱電性能表征。經(jīng)測試得出,通過一步熱壓反應法所得到的產(chǎn)物純的高,結晶性好,具有良好的熱電性能,在800K時,得

3、到的ZT值高達0.53;一步熱壓反應法是一種十分有效的高效制備方法,而微波合成法通過發(fā)揮其自身獨特的加熱方式,縮短了制備周期,將制備時間縮短在一小時以內,簡化了制備工藝;同時產(chǎn)物具有很好的電性能,其Seebeck系數(shù)絕對值可以達到240μV/K,最大的功率因子在1.78×10-4W/mK2左右。因而,微波加熱是一種很有前景的高效制備方式。
  (2)高錳硅熱電材(MnSi1.74)的的制備與表征。
  高錳硅化合物(HMS)

4、具有較好的熱穩(wěn)定性與高溫抗氧化能力,無污染對環(huán)境友好,成本低,組成元素儲量豐富等優(yōu)點。同時,在Si基熱電材料中,高錳硅化合物具有高Seebck系數(shù),低電阻率等優(yōu)點,是最好的P型熱電半導體材料。用微波燒結技術合成MnSi1.74化合物,并利用熱壓技術將其熱壓成塊體。對樣品進行XRD與電性能測試,表明微波燒結技術合成HMS化合物,能夠有效的消除MnSi相。其產(chǎn)物的最大的Seebeck系數(shù),在700K處,可達到210μV/K;而在450K時,

5、得到最大的功率因子P=7.3×10-4W/m·K2。
  (3)納米片狀MoS2的微波合成與表征
  過渡金屬二硫化鉬,因其在固體潤滑劑、超電容、鋰電池以及儲氫材料等方面具有十分廣泛的應用。而受到人們的普遍關注。為克服傳統(tǒng)MoS2的制備方法,耗時耗能,過程復雜等缺陷,利用微波加熱合成技術,以Mo粉和S粉為原料,成功合成了片狀納米結構的MoS2納米粉末,這過程大大的縮短了反應時間,發(fā)現(xiàn)了溫度對于樣品顆粒大小的關系。以X射線粉末

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