一種高產(chǎn)率的CdTe納米線的制備及熒光傳感Hg2+和Cu2+.pdf

1、自無(wú)機(jī)發(fā)光納米材料具有的獨(dú)特光電性質(zhì)被認(rèn)識(shí)以來(lái)，人們已開(kāi)展了一系列廣泛的研究。由于量子限域的差別，相似組成的某些一維發(fā)光材料與零維發(fā)光材料相比，在光電性能及穩(wěn)定性等方面有顯著不同。目前，高產(chǎn)率一維材料的可控制備還有諸多困難，基于一維材料的傳感系統(tǒng)相對(duì)較少亟待開(kāi)拓。本論文以目前納米線的相關(guān)研究為基礎(chǔ)，優(yōu)化了一維CdTe納米線的制備條件，考察了該制備過(guò)程中各種因素對(duì)納米線形成的影響，構(gòu)建了 Hg2+和 C u2+熒光傳感體系。具體內(nèi)容如下：

2、
　　第一章緒論，從熒光傳感法和熒光傳感器的相關(guān)概念入手，接著綜述了目前納米線的性質(zhì)、制備方法及應(yīng)用，最后提出了論文設(shè)想。
　　第二章，參考相關(guān)文獻(xiàn)，利用CdTe量子點(diǎn)（只用巰基乙酸做修飾劑）為原材料，結(jié)合使用對(duì)苯二甲醛和乙醇，采用自組裝法合成了高產(chǎn)率的一維C dTe納米線。然后我們進(jìn)一步表征了相關(guān)形貌及其它光譜性質(zhì)，探討了可能的形成機(jī)理。
　　第三章，根據(jù)Hg2+和C u2+對(duì)C dTe納米線產(chǎn)生熒光猝滅的實(shí)驗(yàn)事實(shí)，