光助水溶性CdTe納晶的熒光增強研究.pdf

1、CdTe納晶由于具有較小的禁帶寬度、獨特的量子尺寸效應(yīng)及熒光發(fā)光性能，成為半導(dǎo)體納米材料的一個研究熱點。如今，水溶液與金屬有機合成方法是制備CdTe納晶的主要方法，但是通過水相制得的CdTe納晶通常其熒光量子產(chǎn)率(PLQY)都比較低。為了提高材料的利用效率，需要提高CdTe納晶的發(fā)光效率。一般來說，CdTe納晶的晶格或表面缺陷是導(dǎo)致其發(fā)光較低的主要原因，因此通過后處理來減少其晶格或表面缺陷可達到提高CdTe材料的熒光量子產(chǎn)率的目的。

2、r>　　 本文在通過水相制備CdTe納晶的基礎(chǔ)上，研究了如何采用后處理來提高CdTe納晶熒光性能的方法。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在有吡啶和合適光照條件下進行的后處理可使CdTe納晶的熒光量子產(chǎn)率在短時間內(nèi)得到了較大的提高。
　　 1. CdTe熒光納晶顆粒的制備和表征：采用水溶液合成法，以巰基乙酸為穩(wěn)定劑通過改變回流時間制備了具有不同顆粒尺寸大小的水溶性熒光CdTe納米晶。吸收光譜，熒光光譜測試結(jié)果顯示：隨著回流時間的延長，CdTe納晶的顆

3、粒尺寸和熒光性能都得到了提高。
　　 2.CdTe納晶的熒光增強：研究了多種因素對量子點熒光性能的影響。
　　 ①吡啶對于CdTe納晶的熒光增強起著非常重要的作用。在有吡啶存在時進行的反應(yīng)能使CdTe納晶熒光性能大大增強，而沒有吡啶時進行反應(yīng)后CdTe納晶的熒光增強不明顯。
　　 ②通過在不同光照下的實驗發(fā)現(xiàn)，適當?shù)墓庹諚l件有利于CdTe納晶的熒光增強，而在強光下進行的反應(yīng)由于會加劇光腐蝕反應(yīng)的發(fā)生，因此對提高C