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文檔簡介
1、本文以1MeV高能電子、70keV和170keV低能質(zhì)子作為輻照源,對高能電子和低能質(zhì)子輻照聚醚醚酮(PEEK)的力學(xué)行為及損傷機理進行了研究。利用小角X射線散射(SAXS)和廣角X射線衍射(簡稱WAXD)技術(shù),原位研究了拉伸過程中高能電子輻照PEEK的微觀結(jié)構(gòu)演化規(guī)律。采用掠入射小角X射線散射技術(shù)(GISAXS),對經(jīng)不同能量和注量質(zhì)子輻照后PEEK不同深度的微觀結(jié)構(gòu)進行了分析,并利用DSC、EPR、FTIR及XPS等材料分析方法,對
2、輻照前后PEEK的結(jié)晶度、自由基、基團及化學(xué)成分等進行了分析,揭示了PEEK帶電粒子輻射力學(xué)行為的基本規(guī)律及損傷機理。
試驗表明,高能電子輻照前后PEEK材料的拉伸應(yīng)力-應(yīng)變曲線均呈現(xiàn)出三個階段的特征。電子輻照后PEEK的拉伸強度略有降低,斷裂延伸率卻明顯降低。SAXS分析表明,電子輻照前后PEEK材料只有子午方向存在明顯的散射峰,這說明該材料呈現(xiàn)出明顯的取向性,且輻照未改變材料的取向性。電子輻照前后PEEK在拉伸過程中均未形
3、成新晶體。通過SAXS和WAXD分析表明,對于未輻照和低輻照注量樣品,拉伸變形第一階段,以非晶區(qū)域的變形為主;變形第二階段,以原始晶體的破碎為主;第三階段,先是晶體破碎占主導(dǎo),然后為晶體的轉(zhuǎn)動為主。對于高注量輻照樣品,變形第三階段未出現(xiàn)晶體的轉(zhuǎn)動過程。電子輻照加速了拉伸過程中晶體的破碎,這是由于高能電子輻照誘導(dǎo)PEEK材料中醚鍵發(fā)生斷裂,并形成大量的交聯(lián)點,從而導(dǎo)致力學(xué)性能下降。
低能質(zhì)子輻照前后PEEK材料的拉伸應(yīng)力-應(yīng)變曲
4、線均呈現(xiàn)相同的特征。低能質(zhì)子輻照未影響PEEK的拉伸強度,卻明顯降低了斷裂延伸率。GISAXS測試結(jié)果表明,低能質(zhì)子輻照前后PEEK樣品近表面微觀結(jié)構(gòu)發(fā)生明顯變化。未輻照樣品近表面存在明顯的長周期和分層特征。隨著質(zhì)子輻照注量和能量增加, PEEK長周期和分層現(xiàn)象消失時所對應(yīng)的X射線入射角減小。EPR、FTIR及XPS分析表明,低能質(zhì)子輻照會使PEEK中的酮鍵和苯環(huán)結(jié)構(gòu)發(fā)生破壞,從而導(dǎo)致材料近表面分子鏈的完整性被破壞,使得PEEK長周期和
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