混合添加稀土Ce和La的AM60B鎂合金耐腐蝕性與半導(dǎo)體性能研究.pdf

1、鎂合金許多優(yōu)良的性質(zhì)使得它在近代發(fā)展迅速，且廣泛地應(yīng)用于各項(xiàng)領(lǐng)域，但鎂化學(xué)性質(zhì)非常活潑。在空氣中生成的MgO薄膜疏松多孔，無(wú)法有效地阻滯進(jìn)一步被氧化。鎂的標(biāo)準(zhǔn)電位相對(duì)于其它金屬結(jié)構(gòu)材料最負(fù)，為-2.37V，在溶液中參與電化學(xué)腐蝕時(shí)導(dǎo)致鎂成為犧牲陽(yáng)極而遭受腐蝕。耐腐蝕性差已經(jīng)成為制約鎂合金發(fā)展的主要因素。
　　本文考察了在不同pH值和NaCl溶液中的電化學(xué)行為。結(jié)果顯示，pH為10.5、0.035％的NaCl溶液中鎂合金的腐蝕電流密

2、度最小，為4.436μA·cm-2。pH為3.5、3.5％NaCl溶液中的腐蝕電流密度最大，為84.34μA·cm-2。隨著pH值減小，NaCl濃度升高，AM60B-MM鎂合金腐蝕電位負(fù)移，陽(yáng)極極化電流密度增大，容抗弧半徑減小。
　　采用高錳酸鹽、鉬酸鹽和植酸在AM60B-MM鎂合金表面進(jìn)行化學(xué)轉(zhuǎn)化制膜。發(fā)現(xiàn)三種化學(xué)轉(zhuǎn)化成膜的AM60B-MM鎂合金降低了腐蝕電流密度，其中高錳酸鹽成膜后的腐蝕電流密度最低，為22.823μA·cm-

3、2。這說(shuō)明成膜后容抗弧和低頻阻抗模值增大、相位角升高，形成了高電阻、低電容的屏蔽膜層，提高了鎂合金的電化學(xué)性能。
　　3.5％NaCl溶液中，三種化學(xué)轉(zhuǎn)化成膜AM60B-MM鎂合金的Mott-Schottky曲線測(cè)試結(jié)果，在-2.2～-0.9V電位區(qū)間內(nèi)，M-S曲線的斜率增大，施主密度ND減小，平帶電位EFB負(fù)向移動(dòng)，空間電荷層厚度增大，鎂合金的電化學(xué)性能得到提高。
　　3.5％NaCl溶液中的析氫實(shí)驗(yàn)表明，成膜后AM60B