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文檔簡介
1、以 T/R組件為核心的有源相控陣（Active Electronically Scanned Array， AESA）技術是近年來正在迅速發(fā)展的雷達新技術。有源相控陣雷達的輻射單元后均接有 T/R組件，可以說 T/R組件的性能決定著雷達整機的指標，而在設計T/R組件時，最關鍵的是功率放大模塊。
隨著工藝尺寸不斷減小和工作頻率的不斷提高，SiGe BiCMOS器件在截止頻率方面受到限制，SiGe BiCMOS功率放大器也在實現(xiàn)大
2、功率輸出方面有著極大的挑戰(zhàn)。
本文對有源相控陣雷達及T/R組件進行了簡要介紹，包括該領域國內(nèi)外的研究現(xiàn)狀，功率放大器基本原理和技術指標，線性化與效率提升技術，SiGe BiCMOS工藝等。在此基礎上，設計出一款應用于 X波段的功率放大器，通過直流偏置設計、諧波阻抗優(yōu)化設計、版圖設計，最終放大器工作在AB類，采用單端兩級放大的共射共基結構，包括輸入與輸出匹配網(wǎng)絡，偏置電路采用自適應線性化技術，實現(xiàn)了高增益和高線性的輸出。電路中的
3、無源器件均采用片上元件，因此這款功率放大器是全集成的。
該功率放大器基于IBM0.18μm SiGe BiCMOS7WL工藝流片，并對實際電路進行測試，測試結果表明，在3.3V電源電壓下，在8.5GHz時增益為21.8dB，1dB壓縮點輸出功率為10.4dBm，輸入輸出匹配良好，芯片面積為1.4mm×0.8 mm。芯片面積較小，實現(xiàn)了與整個T/R芯片的集成，輸出功率、增益指標均滿足T/R組件的功率放大需求。
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