形狀記憶合金-硅復(fù)合膜驅(qū)動性能的非線性力學(xué)分析.pdf

1、MEMS技術(shù)的發(fā)展開辟了一個全新的技術(shù)領(lǐng)域和產(chǎn)業(yè)，采用MEMS技術(shù)制作的微傳感器、微執(zhí)行器、微型構(gòu)件、微機械光學(xué)器件、真空微電子器件、電力電子器件等在航空、航天、汽車、生物醫(yī)學(xué)、環(huán)境監(jiān)控、軍事以及幾乎人們所接觸到的所有領(lǐng)域中都有著十分廣闊的應(yīng)用前景。MEMS技術(shù)正發(fā)展成為一個巨大的產(chǎn)業(yè)，就象近20年來微電子產(chǎn)業(yè)和計算機產(chǎn)業(yè)給人類帶來的巨大變化一樣，MEMS也正在孕育一場深刻的技術(shù)變革并對人類社會產(chǎn)生新一輪的影響。以硅為基底的記憶合金薄膜

2、微驅(qū)動器以其結(jié)構(gòu)簡潔、作功能力強、響應(yīng)快、易于集成化制造等優(yōu)點，成為微驅(qū)動器發(fā)展的重要組成部分。
　　 本文在考慮Si基底膜對溫度場影響的基礎(chǔ)上，首先對形狀記憶合金/硅復(fù)合膜工作時的溫度場進行了理論建模，然后利用MATLAB軟件對NiTi記憶合金/硅復(fù)合膜在一個完整的熱循環(huán)過程中的溫度響應(yīng)特性進行了數(shù)值模擬與優(yōu)化，得出了NiTi記憶合金/硅復(fù)合膜在加熱/冷卻過程中溫度響應(yīng)變化規(guī)律，并討論了各參數(shù)對其溫度變化的影響。