基于Matlab的憶阻器圖形用戶(hù)界面設(shè)計(jì).pdf

1、在基礎(chǔ)電子學(xué)教科書(shū)中列出了三個(gè)基本的無(wú)源電路元件:電阻器、電容器和電感器。而在1971年,蔡少棠教授預(yù)測(cè)了第四個(gè)電路基本元件的存在,即憶阻器,且在37年之后的2008年惠普科研小組第一次給出了憶阻器的實(shí)物模型,證實(shí)了憶阻器的存在。作為第四種基本電路元件,憶阻器有著不同于其它三種傳統(tǒng)電路元件的獨(dú)特性能,它的成功研制將推動(dòng)整個(gè)電路理論的變革。
　　憶阻器是一種納米級(jí)的能夠記憶自身電阻的一種新型電路元件,其納米級(jí)的尺寸,出色的存儲(chǔ)能力,

2、低功耗,高耐久性的特點(diǎn)使其在非易失性存儲(chǔ)器、大規(guī)模集成電路和人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等方面具有非常大的應(yīng)用潛能。但憶阻器作為一種新型的電路元件,尚處于研究階段,在目前還沒(méi)有一種準(zhǔn)確而統(tǒng)一的內(nèi)部轉(zhuǎn)換機(jī)制。并且人們發(fā)現(xiàn)對(duì)于不同制作材料與制作工藝所制造出的憶阻器物理模型,其所表現(xiàn)出的特性,除去他們共同擁有的記憶性與非易失性等基本特性之外,其他的特性都大多互不相同。因此,研究人員要獲得一個(gè)憶阻器的實(shí)物模型并不是一件簡(jiǎn)單的事情,同樣的對(duì)于初學(xué)憶阻器的人員來(lái)說(shuō)

3、,憶阻器的特性也不能被直觀的觀測(cè)到。在現(xiàn)階段的研究中,人們都只能依靠創(chuàng)建能夠近似的表現(xiàn)憶阻器實(shí)物特性的理論模型來(lái)替代憶阻器實(shí)物。為此,本文在對(duì)憶阻器基本理論與特性研究的基礎(chǔ)上,基于Matlab開(kāi)發(fā)了憶阻器模型的圖形用戶(hù)界面。本文的主要工作包括:
　　①介紹了憶阻器的理論基礎(chǔ)與特性,以及四類(lèi)主要的憶阻器理論模型,并以惠普憶阻器模型為基礎(chǔ),從理論上推導(dǎo)了其各變量間的關(guān)系。
　　②基于Matlab設(shè)計(jì)了一種能直觀展示憶阻器特性的圖