高阻器件低頻噪聲測試技術(shù)與應(yīng)用研究.pdf

1、西安電子科技大學(xué)學(xué)位論文獨(dú)創(chuàng)性(或創(chuàng)新性)聲明本人聲明所呈交的論文是我個人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。盡我所知，除了文中特別加以標(biāo)注和致謝中所羅列的內(nèi)容以外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果；也不包含為獲得西安電子科技大學(xué)或其它教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中作了明確的說明并表示了謝意。申請學(xué)位論文與資料若有不實(shí)之處，本人承擔(dān)一切相關(guān)責(zé)任。本人簽名：日

2、期：2：叢呈：蘭墨西安電子科技大學(xué)關(guān)于論文使用授權(quán)的說明本人完全了解西安電子科技大學(xué)有關(guān)保留和使用學(xué)位論文的規(guī)定，即：研究生在校攻讀學(xué)位期間論文工作的知識產(chǎn)權(quán)單位屬西安電子科技大學(xué)。本人保證畢業(yè)離校后，發(fā)表論文或使用論文工作成果時署名單位仍然為西安電子科技大學(xué)。學(xué)校有權(quán)保留送交論文的復(fù)印件，允許查閱和借閱論文；學(xué)校可以公布論文的全部或部分內(nèi)容，可以允許采用影印、縮印或其它復(fù)制手段保存論文。(保密的論文在解密后遵守此規(guī)定)本人簽名：導(dǎo)師簽

3、名：日期：戶／f2、忽日期：2翌6f!蘭蘭呈：摘要電子器件噪聲理論表明低頻噪聲對電子器件或材料內(nèi)部的各種缺陷和損傷非常敏感，因而電子器件的低頻噪聲可以用來表征器件的質(zhì)量和可靠性，分析失效機(jī)理，進(jìn)行產(chǎn)品篩選。上述各種低頻噪聲應(yīng)用的實(shí)現(xiàn)要以低頻噪聲測試技術(shù)為基礎(chǔ)，所以國內(nèi)外該領(lǐng)域中的研究者們一直致力于低頻噪聲測試技術(shù)的創(chuàng)新和改進(jìn)，并且已取得了顯著的成果。然而隨著低頻噪聲應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大，其應(yīng)用范圍所涵蓋的器件也變得多種多樣，從而對低頻噪聲測

4、試技術(shù)提出了挑戰(zhàn)，要求噪聲測試技術(shù)能勝任各種類型器件的測試。當(dāng)?shù)皖l噪聲的應(yīng)用延伸至諸如絕緣介質(zhì)材料、高阻值電阻器、電容器等各種等效阻值相當(dāng)高的高阻器件時，目前已有的低頻噪聲測試技術(shù)已無法勝任這些高阻值器件的噪聲測試。因此，對高阻器件低頻噪聲測試技術(shù)進(jìn)行研究具有重要意義。本文在總結(jié)了國內(nèi)外高阻器件低頻噪聲測試技術(shù)現(xiàn)狀和噪聲測試需求的基礎(chǔ)上，設(shè)計了針對高阻器件新的電流噪聲測試技術(shù)和新的電壓噪聲測試技術(shù)。新的電流噪聲測試技術(shù)解決了已有技術(shù)中信

5、號的功率譜密度頻帶窄和數(shù)據(jù)中的信息無法充分提取的問題；新的電壓噪聲測試技術(shù)解決了已有技術(shù)中噪聲信號進(jìn)入放大器之前衰減嚴(yán)重，無法測試單一器件的噪聲和放大器無法使用直流耦合的缺陷。本研究利用新的測試技術(shù)對高阻值厚膜電阻器和有機(jī)聚合物鉭電容器的低頻噪聲進(jìn)行了測試，以此來對測試技術(shù)進(jìn)行了驗(yàn)證。同時，本文將新的高阻器件低頻噪聲電壓測試技術(shù)實(shí)際應(yīng)用于高阻厚膜電阻器的爆裂噪聲測試和分析，得到其爆裂噪聲與偏壓的關(guān)系，并通過對該關(guān)系進(jìn)行物理解釋，提出了一