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文檔簡介
1、隨著微電子產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,器件特征尺寸越來越小。生產(chǎn)過程中的各種污染對元器件的性能及可靠性的危害也日益突出,所以對材料表面的清潔度要求更加嚴格,因此對對微電子清洗領(lǐng)域的研究,具有很重要的意義。
本文詳細分析了在GLSI多層銅布線片CMP過程中銅氧化物顆粒的形成機理以及存在狀態(tài),分析了螯合劑和表面活性劑在銅氧化物顆粒去除方面的作用。利用自主配制的主要成分為螯合劑和表面活性劑的清洗劑結(jié)合PVA刷洗法對去除CMP后Cu表面銅氧化物顆
2、粒具有良好的效果。通過AFM檢測,分析了FA/OII型螯合劑結(jié)合刷洗工藝對于表面粗糙度的影響,并采用臺階儀對不同濃度的FA/OII型螯合劑對Cu的靜態(tài)腐蝕速率進行了測試,探求清洗劑中螯合劑的合適的濃度,以免在清洗過程中由于FA/OII型螯合劑濃度過大造成粗糙度過大及銅線條的損失。
結(jié)合超聲或 PVA刷洗的方法分別對銅光片和銅布線片進行清洗,利用金相顯微鏡和掃描電子顯微鏡(SEM)對銅表面清洗前后的形貌進行對比,發(fā)現(xiàn)自主配制的該
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