一種聲磁標(biāo)簽用非晶軟磁薄帶的制備工藝研究.pdf

1、聲磁防盜系統(tǒng)是應(yīng)用較為廣泛、性能較優(yōu)越的電子商品防盜系統(tǒng)之一。其核心元件聲磁標(biāo)簽為消耗元件，每年有巨大的需求量，且呈逐年遞增的形式。目前基本都應(yīng)用美國先訊公司所生產(chǎn)的頻率為58 kHz的防盜系統(tǒng)。多年來聲磁標(biāo)簽的生產(chǎn)工藝技術(shù)一直由該公司掌握，形成了一種壟斷局勢。目前國內(nèi)對于此項技術(shù)仍屬空白階段，雖有少數(shù)研究機(jī)構(gòu)予以關(guān)注，但并未取得可商業(yè)化的研究成果。本文針對聲磁標(biāo)簽中功能元件之一的共振片進(jìn)行研究，期望探究出合適的制備工藝，為共振片的研究

2、提供理論依據(jù)及實驗指導(dǎo)。
　　本研究應(yīng)用單輥熔融快淬法，研究了主要工藝參數(shù)對非晶薄帶結(jié)構(gòu)的影響;通過不同方式的磁場退火、不同時間退火、不同溫度退火，研究了磁場退火對非晶共振片性能的影響;得出了較合適的非晶薄帶制備工藝參數(shù)，及適于性能優(yōu)化的磁場退火條件。獲得的主要研究結(jié)果如下：
　　(1)利用單輥熔融快淬法成功制備出三種成分的非晶合金帶。研究表明，隨著轉(zhuǎn)速的增加，非晶薄帶厚度降低;隨著嘴距的增加，非晶薄帶厚度增加;隨著氮氣噴壓

3、的增加，非晶薄帶厚度增加。通過控制以上工藝參數(shù)，制備出厚度為18～28μm的非晶薄帶。
　　(2)制備工藝對非晶薄帶的結(jié)構(gòu)有重要影響:在較高轉(zhuǎn)速下，薄帶為完全的非晶態(tài)，隨著轉(zhuǎn)速降低，開始出現(xiàn)晶化現(xiàn)象;在較小嘴距下，薄帶是完全的非晶態(tài)，隨著嘴距的增加，薄帶明顯晶化;在較低氮氣噴壓下，薄帶為完全的非晶態(tài)，隨著噴壓增加，薄帶出現(xiàn)晶化。
　　(3)將非晶薄帶裁剪成聲磁標(biāo)簽用共振片，研究其聲磁性能表明:該共振片的共振頻率在商業(yè)應(yīng)用范圍

4、內(nèi)(58 kHz);通過后續(xù)退火處理可以顯著提高非晶薄帶的聲磁性能。不同方式磁場退火均可提升聲磁性能;其中垂直磁場退火對響應(yīng)距離提升最顯著。
　　(4)制備共振片用非晶薄帶的合理工藝路線是，將薄帶制成完全的非晶態(tài)，然后進(jìn)行垂直磁場退火。本研究成分為Fe25.8Co12Ni57.6Si0.81B3.79，在r=1800 rpm、h=0.1 mm、P=0.05MPa制成的非晶薄帶，經(jīng)過340℃、8min垂直磁場退火，獲得最佳的響應(yīng)距離