二氧化錫納米孔的制備及其性能研究.pdf

1、寬禁帶N型半導(dǎo)體材料二氧化錫以其獨(dú)特的性能在催化、媒染、配制玻璃等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。隨著納米技術(shù)的快速發(fā)展，納米級二氧化錫功能材料因其獨(dú)有的光電特性和極好的光敏、氣敏性等特點(diǎn)，在太陽能電池、儲氫容器材料、氣敏傳感元器件方面有著巨大的應(yīng)用前景和市場潛力。因此，納米級二氧化錫功能材料的制備與性能研究成為當(dāng)今材料研究領(lǐng)域的熱門課題。
　　 本文通過陽極氧化法制備了納米結(jié)構(gòu)二氧化錫材料，并介紹了二氧化錫納米半導(dǎo)體材料的表面吸附的性能

2、和機(jī)理，利用掃描電鏡(SEM)和X射線衍射圖譜(XRD)分析實(shí)驗(yàn)樣品在外加不同電壓、不同實(shí)驗(yàn)時間條件下制得二氧化錫納米孔的微觀結(jié)構(gòu)和晶型。通過對比研究了三種陽極氧化的電解液、不同實(shí)驗(yàn)條件下，制備的二氧化錫納米孔的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)。通過實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以看出：當(dāng)電解液為草酸時，所得的SnO2納米孔的微觀結(jié)構(gòu)優(yōu)于其他兩種電解液制備的SnO2納米孔。通過優(yōu)化實(shí)驗(yàn)條件，得出在外加5V電壓下，草酸溶液的濃度為0.5mol/L，陽極氧化5分鐘時，可得最佳的二氧化

3、錫納米孔結(jié)構(gòu)。
　　 本文也就襯底上制備二氧化錫納米孔進(jìn)行了初步研究，采用真空蒸鍍的方法在玻璃襯底上蒸鍍一層錫金屬，然后在先前的研究基礎(chǔ)上對玻璃襯底上錫金屬膜進(jìn)行陽極氧化，制備二氧化錫納米孔，以便和MEMS技術(shù)相結(jié)合，應(yīng)用在傳感器當(dāng)中。
　　 通過實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)分析來看，當(dāng)實(shí)驗(yàn)條件為外加5V電壓、0.3mol/L的草酸溶液濃度、10分鐘的陽極氧化時間所得的樣品的效果最好，同純金屬陽極氧化法制得的二氧化錫納米孔相比，得到的二氧化