水助法碳納米管生長中Al2O3緩沖層的磁控濺射制備及其工藝優(yōu)化.pdf

1、碳納米管自發(fā)現以來，以其優(yōu)異的力學、電學、光學等性能迅速引起了研究人員的關注，并成為了研究的焦點。水助化學氣相沉積法生長的碳納米管質量好、催化效率高，得到了廣泛了應用。催化劑在制備碳納米管的過程中起著關鍵的作用，它能直接影響生長碳納米管的直徑和管徑分布。而Al2O3薄膜作為基底和催化劑之間的緩沖層，能夠影響催化劑的微觀形貌和性能。制備光滑致密以及合適厚度的Al2O3緩沖層至關重要。磁控濺射法有速率快、溫度低、與基底的結合性好等優(yōu)點。因此

2、選擇磁控濺射法作為制備Al2O3緩沖層的方案。為了制備出光滑致密及滿足尺寸要求的Al2O3薄膜，本文主要做了以下工作。
　　(1)選好Al2O3薄膜的制備方案，了解磁控濺射的基本機理，熟練掌握磁控濺射儀的操作步驟。選定需要調控的磁控濺射儀的工藝參數，為制備出光滑致密的Al2O3薄膜做好準備。
　　(2)在反應磁控濺射法制備Al2O3薄膜的過程中，通過控制氧氬比制備出合乎成分要求的Al2O3薄膜。通過XRD分析本文發(fā)現常溫條件