新型碳化硅微波功率MESFET結構設計及性能分析.pdf

1、碳化硅(SiC)材料具有寬禁帶、高電子飽和漂移速率、高臨界擊穿場強、高熱導率等優(yōu)良特性，在高頻、高溫、大功率、抗輻射等領域擁有極為廣闊的應用前景。隨著無線通信技術的飛速發(fā)展，對硬件系統(tǒng)高功率密度、快響應速度的需求日益迫切，基于SiC材料的肖特基柵場效應晶體管(MESFET)在微波射頻領域具有Si、GaAs器件無法比擬的優(yōu)勢，適合航天、微波通信、電子對抗、大容量信息處理等應用。鑒于國內外SiCMESFET研究現(xiàn)狀，本文從器件結構、數值仿真

2、、可靠性、制備工藝等方面對SiCMESFET開展了系統(tǒng)的研究分析。主要的研究工作和成果如下:
　　(1)從工作機理的角度分析了SiC微波功率MESFET的器件特性，整合了準確表征4H-SiC材料特性和MESFET器件工作機理的物理模型，并基于ISE-TCAD軟件建立了合適的4H-SiCMESFET器件模型，對器件的直流、交流、擊穿特性進行了模擬分析，并討論了器件特性與關鍵結構參數的依賴關系，優(yōu)化了器件結構，為器件設計提供了參考。<

3、br>　　(2)SiC與鈍化材料之間高密度的界面態(tài)導致器件工作在較高頻率時出現(xiàn)柵延遲現(xiàn)象，影響器件的性能指標。為抑制界面態(tài)的陷阱效應，提出了一種新型隔離層結構的SiCMESFET并設計了針對該結構器件制備的工藝流程?；诟倪M的陷阱模型對柵長為0.6μm的器件進行了特性模擬研究。結果表明，P型隔離層能有效地抑制表面陷阱的影響并且能減小器件在大電壓微波應用條件下的柵漏電容;P型隔離層結合場板結構改善了柵極邊緣的電場分布，同時能減小單一使用場

4、板結構時引入的寄生柵漏電容。新結構4H-SiCMESFET的最大飽和漏電流密度為460mA/mm，在漏電壓20V的柵延遲抑制比接近90％。交流特性的分析結果表明，新結構比埋柵-場板結構器件的特征頻率(ft)和最高振蕩頻率(fmax)分別提高了5％和17.8％。
　　(3)基于電場調制的思想，在分析場板結構器件所存在問題的基礎上，建立了帶柵漏間表面p型外延層的新型MESFET器件模型，模型綜合考慮了高場載流子飽和、雪崩碰撞離化等效應

5、。利用所建模型分析了表面外延層對器件溝道表面電場分布的改善作用，并采用突變結近似法對外延層參數與器件輸出電流(Ids)和擊穿電壓(VB)的關系進行了研究。經過優(yōu)化的結果表明，選擇P型外延層厚度為0.12μm，摻雜濃度為5×1015cm-3，可使器件的VB提高33％而保持Ids基本不變，在一定程度上改善了導通電阻和擊穿電壓之間的矛盾。
　　(4)為進一步提升器件的頻率特性，將柵下緩沖層結構應用于SiCMESFET中，并結合P型隔離層

6、使器件的特性得以整體性提升。在鈍化層和溝道之間引入的p型隔離層抑制了表面陷阱的影響，并改善了柵極邊緣的電場分布。另一方面，在柵極下面引入的輕摻雜N型緩沖層降低了擴展在導電溝道中的耗盡層，從而提高了輸出電流Ids并減小了柵電容Cg。論文還對器件特性與結構參數的依賴關系進行了研究，獲得了優(yōu)化的設計方案。在擊穿電壓VB有所提高的情況下，柵下緩沖層結構MESFET的最大飽和電流密度為325mA/mm，與傳統(tǒng)結構MESFET的182mA/mm相比

7、有將近79％的提升。此外，應用新結構的MESFET的特征頻率和最大振蕩頻率較傳統(tǒng)結構MESFET分別提高了27％和28％。
　　(5)在分析短溝道器件所存在問題的基礎上，針對深亞微米SiCMESFET提出了改進型的異質柵結構，并結合肖特基柵勢壘降低、勢壘隧穿等物理模型，分析了改進型異質柵結構對SiCMESFET溝道電勢、夾斷電壓以及柵下電場分布的影響。通過與傳統(tǒng)柵器件特性的對比表明，異質柵結構在SiCMESFET的溝道電勢中引入了

8、多階梯分布，加強了近源端電場;另一方面，相比于雙柵器件，改進型異質柵器件溝道最大電勢的位置遠離源端，更好抑制了短溝道效應。此外，研究了不同結構參數的異質柵對短溝道器件特性的影響，獲得了優(yōu)化的設計方案，減小了器件的亞閾值傾斜因子。為發(fā)揮碳化硅器件在大功率應用中的優(yōu)勢，設計了非對稱異質柵結構，提高了小柵長器件的耐壓。
　　綜上所述，本論文在傳統(tǒng)SiCMSEFET基礎上，提出了幾種新型器件結構，通過器件建模和特性仿真對新結構器件進行了系