版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、硫?qū)倩衔锊牧鲜且活惤Y(jié)構(gòu)類型豐富、物理性能多樣、數(shù)量龐大的無機化合物材料,在非線性光學(xué)、催化、太陽能、紅外、熱電、光電、光纖、化學(xué)電池、離子導(dǎo)體等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景,這類材料的合成與性質(zhì)研究一直受到人們的廣泛關(guān)注。
到目前為止,關(guān)于新型硫?qū)倩衔風(fēng)iGa3Te5和Li4P2Se6的研究極少。對于LiGa3Te5,已研究內(nèi)容只局限于其單晶結(jié)構(gòu)和多晶的基本物理性質(zhì)方面,還沒有關(guān)于其體塊晶體生長和晶體性能的報道;而Li4P2Se
2、6,至今也未有其詳細(xì)晶體結(jié)構(gòu)及相關(guān)性質(zhì)的報道。本論文對LiGa3Te5、Li4P2Se6的固相合成,LiGa3Te5體塊晶體的生長和晶體性質(zhì)進(jìn)行了初步表征,對Li4P2Se6的晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行了較為系統(tǒng)的研究,內(nèi)容主要包括以下幾個方面:
1、LiGa3Te5、Li4P2Se6固相合成
我們系統(tǒng)研究了LiGa3Te5和Li4P2Se6的固相合成工藝。在LiGa3Te5合成方面,采用兩步合成法,即先合成二元化合物Ga2Te3
3、,再以Li、Te、Ga2Te3為原料,按照化學(xué)計量比配料進(jìn)行LiGa3Te5多晶料的固相合成。我們分別把盛有原料的石墨坩堝放入高壓釜和石英管中進(jìn)行反應(yīng),結(jié)果表明在石英管中進(jìn)行合成更有利于制得純相的LiGa3Te5多晶料。對制得的LiGa3Te5多晶料進(jìn)行了熱重、差示掃描量熱分析(TGA/DSC),得到了其熱學(xué)性質(zhì),為下一步單晶生長奠定了基礎(chǔ)。在Li4P2Se6合成方面,我們嘗試了不同的合成條件,最終選擇以過量5%摩爾比的P與化學(xué)計量比的
4、Li、Se單質(zhì)配料,在500℃下恒溫20小時然后緩慢降至常溫的方式來合成Li4P2Se6,得到了較純的Li4P2Se6物相,并成功挑出了可供結(jié)構(gòu)解析的淡黃色小單晶。
2、LiGa3Te5晶體生長
使用自行設(shè)計的雙溫區(qū)布里奇曼下降爐,通過改變坩堝條件、溫度梯度、坩堝下降速度、晶轉(zhuǎn)速度等,不斷探索改進(jìn)LiGa3Te5晶體的生長工藝,在自發(fā)成核條件下成功生長出了LiGa3Te5單晶,為進(jìn)一步表征LiGa3Te5晶體的性質(zhì)奠
5、定了基礎(chǔ)。
3、LiGa3Te5晶體的基本性質(zhì)測試
研究了LiGa3Te5晶體的熱學(xué)性質(zhì),測得其熔點為783.27℃,測量了LiGa3Te5晶體在300~410℃之間的比熱容cp,結(jié)果顯示隨著溫度升高,比熱容從O.263J/(g·K)增大到0.343J/(g·K)。研究了LiGa3Te5晶體的光學(xué)性質(zhì),發(fā)現(xiàn)LiGa3Te5晶體具有較寬的紅外透過范圍(1.4-22μm),有望用作紅外涂層或紅外窗口材料。
4、
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 幾種過渡金屬硫?qū)倩衔锞w生長及性能研究.pdf
- 磷硅化合物的晶體生長與性質(zhì)表征.pdf
- 新型硫?qū)倩衔锏娜軇岷铣膳c表征.pdf
- 磷硅化合物合成、晶體生長及性能表征.pdf
- 摻稀土的硫?qū)倩衔锖?硫?qū)?磷灰石的合成與發(fā)光性質(zhì)研究.pdf
- 2-D硫?qū)倩衔锏暮铣?、結(jié)構(gòu)和性質(zhì)研究.pdf
- 稀土硫?qū)倩衔锏暮铣膳c應(yīng)用研究.pdf
- 硫?qū)倩衔锞w的水溶液生長和金屬單質(zhì)納米晶的溶劑熱合成.pdf
- 新型非線性光學(xué)晶體的合成、晶體生長和性質(zhì).pdf
- 新型酞菁化合物的合成與性質(zhì)研究.pdf
- 雜多酸類化合物的晶體生長、晶體結(jié)構(gòu)與性能表征.pdf
- 硫?qū)倩衔锛{米材料的水熱合成及生長機理研究.pdf
- 鈮基硫?qū)倩衔锏闹苽?、晶體結(jié)構(gòu)和電磁學(xué)性質(zhì).pdf
- 四元硫?qū)倩衔锏娜軇岷铣?pdf
- 硫?qū)倩衔飶?fù)合薄膜的制備及光電性質(zhì)研究.pdf
- 硒及硫?qū)倩衔锇雽?dǎo)體納米材料的仿生合成與光學(xué)性質(zhì).pdf
- 35794.新型金屬硫族化合物的合成、結(jié)構(gòu)和性質(zhì)研究
- 基于磷族-硫族新型化合物的合成,結(jié)構(gòu)和性質(zhì)研究.pdf
- 金屬硫?qū)倩衔锏闹苽?、表征及光學(xué)性質(zhì)研究.pdf
- 納米硫?qū)倩衔镫姌O材料合成與超電性能研究.pdf
評論
0/150
提交評論