基于片上變壓器的CMOS全集成功率放大器設(shè)計(jì).pdf

1、隨著無線通信產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，人們對(duì)無線通信產(chǎn)品的性能提出越來越高的要求，具體到硬件產(chǎn)品，要求其具有更大的帶寬，更高的線性度，更低的成本。對(duì)于射頻收發(fā)系統(tǒng)來說，單芯片方案是一種降低成本的非常好的解決辦法。然而，射頻功率放大器是制約單芯片集成系統(tǒng)的一個(gè)瓶頸，其原因在于CMOS工藝的一些固有缺陷，例如，基底損耗大，無源器件品質(zhì)因數(shù)低，有源器件擊穿電壓小，跨導(dǎo)低，線性度差等。尤其是隨著工藝的改進(jìn)，器件溝道尺寸越來越小，擊穿電壓越來越低，線性度越

2、來越差。所以現(xiàn)代通信產(chǎn)品中的射頻功率放大器一般采用砷化鎵工藝或者改進(jìn)型CMOS工藝。
　　 然而，隨著技術(shù)的發(fā)展，基于CMOS工藝的射頻功率放大器重新受到業(yè)界越來越多的重視，尤其最近幾年來，基于CMOS工藝的射頻功放的研究得到了很大的突破。在這些研究中，片上變壓器技術(shù)越來越多被證明是提高射頻功放性能的一種很好的解決辦法。
　　 本論文主要對(duì)片上變壓器進(jìn)行了研究，并嘗試設(shè)計(jì)三種基于片上變壓器技術(shù)的工作于2.4GHz的射頻功

3、率放大器。第一章主要講述了射頻功放的背景、研究意義和研究現(xiàn)狀；第二章主要講述了射頻功率放大器的分類、性能指標(biāo)；第三章主要對(duì)片上變壓器進(jìn)行了模型建立，并討論了變壓器的效率和其抽象指標(biāo)間的關(guān)系，得出了片上變壓器的一般性設(shè)計(jì)規(guī)律；第四章設(shè)計(jì)了一種基于并聯(lián)型變壓器的2.4GHz射頻功率放大器；第五章設(shè)計(jì)了一種基于串聯(lián)型變壓器的工作于功率回退區(qū)域的2.4GHz射頻功率放大器；第六章設(shè)計(jì)了基于串聯(lián)型變壓器的E類功率放大器；第七章是對(duì)本課題工作的總結(jié)