納米氧化鋅的非金屬摻雜及其物性研究.pdf

1、氧化鋅(ZnO)具是有直接帶隙、禁帶很寬的半導(dǎo)體物質(zhì)。室溫下的禁帶寬度可以達(dá)到3.37eV，激子束縛能為60meV，具有在近紫外發(fā)光、光學(xué)透明性、電子傳導(dǎo)、壓電性等獨(dú)特性質(zhì)，而成為重要的功能材料。P摻雜的ZnO納米材料同樣成為研究的熱點(diǎn)，通過摻雜可以改善ZnO納米材料的發(fā)光性質(zhì)，制備p型的納米材料更可以使人們得到優(yōu)質(zhì)的pn結(jié)結(jié)構(gòu)，在激光器件等方面有很大的應(yīng)用。
　　我們選用三個(gè)電極的電化學(xué)方法進(jìn)行制備，用ITO做為制備的襯底，通過

2、改變電壓以及改變電流來制備ZnO納米結(jié)構(gòu)和P摻雜的ZnO納米結(jié)構(gòu)，再通過SEM、XRD、PL、EDS、XPS對樣品的結(jié)構(gòu)、性質(zhì)等進(jìn)行表征。結(jié)果表明，利用恒電壓條件制備的納米ZnO具有比較好的結(jié)晶質(zhì)量，以磷酸二氫銨作為摻雜源，可以成功實(shí)現(xiàn)P摻雜，對摻雜后的ZnO進(jìn)行熱退火可以成功實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步改善其結(jié)晶質(zhì)量，對退火后的樣品進(jìn)行表征，與之前制備的樣品進(jìn)行比較，熱退火處理后的P摻雜ZnO納米材料的光致發(fā)光光譜中施主受主對發(fā)光的存在表明P-ZnO可