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1、Mg2(Si,Sn)基合金熱電材料具有成本低廉、環(huán)境友好等特點(diǎn),是一類本領(lǐng)域同行廣泛關(guān)注的新型綠色熱電材料。但相比較目前性能最佳的熱電材料而言,這個(gè)體系還存在制備困難、固溶限尚未確定、晶格熱導(dǎo)率偏高、P型材料的性能太低等問(wèn)題。本文重點(diǎn)研究了Mg2(Si,Sn)合金的固溶限、點(diǎn)缺陷和熱電性能,取得如下主要成果:
?。ㄒ唬┐_定了不同制備方法下Mg2Si1-xSnx合金材料中的固溶區(qū)間。本文采用助熔劑法和鉭管封裝法制備了Mg2Si1-
2、xSnx(x=0.2,0.4,0.5,0.6,0.8)的合金試樣,根據(jù)XRD和EPMA分析,確定了Mg2Si-Mg2Sn合金材料在不同制備方法下的固溶限。研究發(fā)現(xiàn)Mg2Si1-xSnx材料中存在Mg空位和間隙Mg等點(diǎn)缺陷,點(diǎn)缺陷Mg空位的存在導(dǎo)致了第二相的產(chǎn)生,并對(duì)材料的熱電性能有著顯著的影響。
?。ǘ┰贛g2Si0.4Sn0.6-xSbx體系中提出了點(diǎn)缺陷工程的概念。為了在保持電性能的前提下降低Mg2Si1-xSnx合金材料
3、的晶格熱導(dǎo)率,本文首次通過(guò)大量摻雜Sb和調(diào)節(jié)Mg含量,控制Sb摻雜原子、Mg空位和間隙位Mg原子三種點(diǎn)缺陷在合金材料中的協(xié)調(diào)作用,有效降低了晶格熱導(dǎo)率并同時(shí)優(yōu)化了載流子濃度,顯著提升了材料的熱電性能。研究發(fā)現(xiàn),Mg2Si0.4Sn0.6-xSbx體系中,Mg空位和間隙位Mg原子可以穩(wěn)定共存,通過(guò)調(diào)整Sb和Mg含量可以在一定范圍內(nèi)控制Mg空位和間隙位Mg原子濃度。Mg空位是一種有效的聲子散射中心,對(duì)降低材料聲子熟導(dǎo)率具有顯著作用。通過(guò)添加
4、Zn,可以調(diào)節(jié)材料電子結(jié)構(gòu)、優(yōu)化材料電學(xué)性能。Zn摻雜Mg2Si0.4Sn0.5Sb0.1的ZT值在750 K達(dá)到1.1以上。
?。ㄈ┩ㄟ^(guò)受主摻雜和贗三元合金化提高P型Mg2X(X=Si,Ge,Sn)合金的熱電性能。研究發(fā)現(xiàn),Ag是一種比B更有效的受主雜質(zhì)。通過(guò)控制材料中間隙Mg原子含量、減少材料的少子濃度,將材料的熱電優(yōu)值提高了35%。對(duì)Mg2(Si0.33Ge0.33 Sn0.33)和Mg2(Si0.2Ge0.2Sn0.6
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