特高壓交流氣體絕緣開(kāi)關(guān)設(shè)備的電磁瞬態(tài)特性研究.pdf

1、特高壓交流氣體絕緣開(kāi)關(guān)設(shè)備(GIS)開(kāi)關(guān)操作產(chǎn)生特快速瞬態(tài)過(guò)電壓(VFTO)和瞬態(tài)外殼電壓(TEV)，幅值高，上升陡，頻譜寬，對(duì)GIS設(shè)備內(nèi)部絕緣和安裝在GIS設(shè)備上的監(jiān)控設(shè)備的正常運(yùn)行構(gòu)成嚴(yán)重威脅。研究特高壓交流GIS設(shè)備的電磁瞬態(tài)特性，對(duì)于特高壓交流GIS設(shè)備的可靠設(shè)計(jì)與安全運(yùn)行等均具有重要的學(xué)術(shù)價(jià)值和應(yīng)用意義。
　　本文依托國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃項(xiàng)目的課題“特高壓變電站電磁暫態(tài)過(guò)電壓機(jī)理與控制”(課題編號(hào):2011 CB2

2、09405)以及國(guó)家電網(wǎng)公司科技項(xiàng)目“GIS內(nèi)部瞬態(tài)電磁場(chǎng)與外殼瞬態(tài)地電位升仿真研究”(項(xiàng)目編號(hào):SGKJJSKF[2009]776)等，重點(diǎn)研制了TEV測(cè)量裝置，通過(guò)試驗(yàn)測(cè)量和建模仿真，深入研究了1000kV特高壓交流GIS設(shè)備的電磁瞬態(tài)特性、影響因素以及抑制措施。本文主要研究工作如下:
　　(1)提出了TEV的定義和測(cè)量引線布置與屏蔽的規(guī)范化測(cè)量方法，給出了TEV測(cè)量裝置的技術(shù)要求。研制了TEV測(cè)量裝置，具有抗強(qiáng)電磁干擾、獨(dú)立

3、供電、同步觸發(fā)、光纖通信、遠(yuǎn)程監(jiān)控等特點(diǎn)，通過(guò)了各項(xiàng)性能測(cè)試、電磁兼容與絕緣耐壓等試驗(yàn)，規(guī)范了測(cè)量引線長(zhǎng)度。測(cè)量裝置滿(mǎn)足特高壓交流GIS設(shè)備TEV的現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量要求，為今后的TEV測(cè)量提供可靠的測(cè)量裝置。
　　(2)獲得了TEV波形特性和分布特性，在兩條1000kV特高壓交流GIS設(shè)備的試驗(yàn)回路上，開(kāi)展了為期3年的不同接線方式下的TEV特性試驗(yàn)研究，分析了試驗(yàn)回路不同位置TEV波形參數(shù)的統(tǒng)計(jì)特性，包括TEV全過(guò)程波形特征、脈沖個(gè)數(shù)、波

4、形總持續(xù)時(shí)間、單脈沖波形特征、頻率成分、單脈沖持續(xù)時(shí)間、幅值上升時(shí)間，以及預(yù)充/不預(yù)充直流電壓、不同分支母線長(zhǎng)度、調(diào)換隔離開(kāi)關(guān)接線方向?qū)EV幅值特性的影響。得到了過(guò)沖電壓、TEV與擊穿電壓幅值之間滿(mǎn)足正比例線性函數(shù)關(guān)系，分析了擊穿電壓、VFTO與TEV之間的相關(guān)性。提出了TEV典型波形及其參數(shù)定義，提取了波形各參數(shù)的統(tǒng)計(jì)值，揭示了1000kV特高壓交流GIS設(shè)備TEV的瞬態(tài)特性。
　　(3)建立了1000kV特高壓交流GIS設(shè)備

5、套管、隔離開(kāi)關(guān)、分支母線、管母線、絕緣法蘭等元件，接地支柱和接地網(wǎng)的寬頻等效電路模型，提出了多導(dǎo)體傳輸線與集總寬頻元件耦合的VFTO和TEV聯(lián)合仿真模型。通過(guò)對(duì)特高壓GIS試驗(yàn)回路各TEV、VFTO測(cè)量點(diǎn)的實(shí)測(cè)結(jié)果與仿真結(jié)果比較，驗(yàn)證建模方法和仿真模型的有效性，為T(mén)EV、VFTO的建模仿真提供新的仿真模型。
　　(4)研究了GIS設(shè)備TEV和VFTO的影響因素，包括絕緣法蘭電磁泄漏、套管電磁泄漏、隔離開(kāi)關(guān)阻尼電阻、分支母線長(zhǎng)度、管