用于EBIT平臺的K-CELL注入系統(tǒng)建設(shè).pdf

1、高電荷態(tài)離子相關(guān)物理研究是等離子體學(xué)科的重要研究方向，它不僅能夠促進基礎(chǔ)理論理論的研究，增進人們對天體物理的認識，同時也對受控核聚變研究起著關(guān)鍵的作用。電子束離子阱(EBIT)用于產(chǎn)生和約束高電荷態(tài)離子，為相關(guān)研究提供了便利。在上EBIT開展研究需要有合適的原子或是低價態(tài)離子注入方式。
　　克努森池(K-CELL)是一種運行于高真空條件下的高溫原子束源，該束源可以精確控制蒸發(fā)溫度，從而較為精確地控制原子束流量，適于作為EBIT的配

2、套原子束注入裝置。
　　本論文建設(shè)了一臺適用于EBIT的基于K-CELL的中性原子束注入裝置，該注入裝置克服了現(xiàn)有注入方式的某些缺點，適用范圍較為廣泛。主要工作如下:
　　1.結(jié)構(gòu)改進:采用特制的帶有小孔的擋板的四通的設(shè)計，配合特制的注入管道，與傳統(tǒng)的設(shè)計相比，準直效果更好，注入效率更高。并且對束源爐進行了特別定制，方便實驗快速切換
　　2.注入效率檢驗:通過鍍膜的方式對注入效率公式進行了檢驗，并且為實驗時溫度控制提供