圓錐探針電場增強特性的數(shù)值模擬研究.pdf

1、隨著社會的不斷發(fā)展，人類所掌握的知識越來越多，尤其是進入21世紀(jì)后，信息量呈現(xiàn)一種爆炸式的增長，速度比以往任何時候都快的多，現(xiàn)有的存儲技術(shù)已經(jīng)遠遠不能滿足知識大爆炸的時代背景。因此，超高密度的存儲技術(shù)的發(fā)展和革新已經(jīng)成為了時代發(fā)展的必然要求，尤其是近場光存儲，以其能夠突破衍射極限限制的優(yōu)點吸引了眾多科研工作者的關(guān)注。
　　首先，本文對光存儲技術(shù)的歷史進行了簡單的介紹，并且給出了限制當(dāng)前光存儲發(fā)展的原因---衍射極限的概念。目前，藍

2、光光盤（激光為藍光）單片容量可達到27GB。由于光的衍射極限的限制，傳統(tǒng)的遠場光存儲發(fā)展的潛力十分有限。將來發(fā)展的大方向主要包括能夠突破光盤平面限制的三維光學(xué)體存儲和突破衍射分辨率極限的近場光學(xué)存儲技術(shù)。本文對這兩種存儲技術(shù)分別做了介紹。
　　其次，本文介紹了表面等離子體的基本概念。通過闡述表面等離子體的發(fā)現(xiàn)歷程以及金屬中等離子體的幾種模態(tài)，使大家對于本文研究錐尖尖端電場增強特性的原理有一個詳盡的了解。隨后簡單介紹了表面等離子體極

3、化激元的幾種激勵方法。
　　最后，本文通過使用有限元方法（Finite Element Method），詳細分析了錐尖長度和入射光與錐尖軸線夾角對電場局域增強的影響。工作目的是尋求最優(yōu)的錐尖形貌，使其達到錐尖尖端電場增強的最大值。在前人的工作中，人們僅僅對單獨的錐尖進行研究，這樣只能在一定程度上反映出錐尖增強的光學(xué)響應(yīng)特性。在實際應(yīng)用中，錐尖還需要一系列的配套設(shè)施，其中最不能忽視的就是記錄介質(zhì)的影響。本文嘗試把記錄介質(zhì)引入到了模擬