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1、第三代化合物半導(dǎo)體碳化硅(SiC)禁帶寬度大、載流子飽和速率高、熱穩(wěn)定性強(qiáng)、熱導(dǎo)率高、抗輻照性能突出。其抗輻照特性較之Si,Ge,GaAs,InP等半導(dǎo)體材料優(yōu)異很多;相比于同樣作為第三代半導(dǎo)體的GaN材料,SiC與硅工藝兼容,工藝更為成熟,可以獲得更小的漏電流,且原子序數(shù)小,背散射率低。這些原因使得SiC成為紫外探測(cè)器的優(yōu)選材料。
本文首先對(duì)當(dāng)前國(guó)內(nèi)外紫外探測(cè)器的現(xiàn)狀加以介紹,并簡(jiǎn)要說(shuō)明了MESFET型紫外探測(cè)器的優(yōu)勢(shì);然后
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