瓦記錄磁盤驅(qū)動器的讀寫方式研究與優(yōu)化設(shè)計(jì).pdf

1、伴隨著數(shù)字化進(jìn)程,對數(shù)字存儲系統(tǒng)容量的需求也在同步增加。而傳統(tǒng)磁盤是信息的最主要的存儲載體之一,但是,受超順磁等效應(yīng)的影響,當(dāng)前磁盤介質(zhì)的面密度也即將達(dá)到上限。瓦記錄存儲技術(shù)的出現(xiàn),使得磁盤容量的大幅提升成為可能,并可能成為傳統(tǒng)磁盤的替代品。利用強(qiáng)大的通道技術(shù),通過不改變原有磁性介質(zhì),而是通過在原有的磁盤寫頭的一側(cè)加入屏蔽層,從而改變其寫操作的磁化范圍,實(shí)現(xiàn)了部分區(qū)域的覆蓋磁化,來提高實(shí)際可磁化的密度。但是,瓦記錄存儲驅(qū)動器的隨機(jī)寫性能

2、十分不理想,也成為了制約其普及的因素。
　　提出了以STL(ShingleTranslationLayer,瓦記錄轉(zhuǎn)換層)為核心的方案。提出了將磁盤組織為“區(qū)域”、“瓦記錄塊”及“普通塊”三維結(jié)構(gòu)的方案,提升了瓦記錄磁盤性能。在映射處理過程中分別采用不同的映射策略提升性能。垃圾回收模塊通過特定算法,提高了隨機(jī)性數(shù)據(jù)訪問的回收效率。在數(shù)據(jù)遷移模塊,提出物理區(qū)域劃分,提升了磁盤性能。引入瓦記錄轉(zhuǎn)換層后掩蓋了瓦記錄磁盤不能直接更新的特點(diǎn)