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文檔簡介
1、本文通過電子束蒸發(fā)制備ITO薄膜，將薄膜淀積在石英玻璃片上，并在爐管中退火，通過對ITO方塊電阻和透光率的測量，研究薄膜厚度以及退火條件對ITO薄膜光電性能的影響。然后將不同厚度和退火條件制備的ITO薄膜應用于尺寸為205μm×508μm的GaN基發(fā)光二極管，通過測量20mA注入電流下LED的正向電壓、光強分布、光輸出功率和光通量，研究了ITO薄膜對LED光電性能的影響。
試驗結果表明ITO厚度250nm，退火溫度400℃，N
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