數(shù)字信號(hào)處理器存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì).pdf

1、上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文數(shù)字信號(hào)處理器存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)碩士研究生：沈江學(xué)號(hào)：107210958導(dǎo)師：毛志剛副導(dǎo)師：蔣劍飛申請(qǐng)學(xué)位：工程碩士學(xué)科：軟件工程所在單位：微電子學(xué)院答辯日期：2011年5月授予學(xué)位單位：上海交通大學(xué)I數(shù)字信號(hào)處理器存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)摘要存儲(chǔ)器是數(shù)字信號(hào)處理器的關(guān)鍵部件。本文是一款支持超哈佛結(jié)構(gòu)16位數(shù)字信號(hào)處理器（mDSP）設(shè)計(jì)項(xiàng)目的一部分，主要工作為該款DSP設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器系統(tǒng)，該存儲(chǔ)器系統(tǒng)包括ROM、雙存取SRAM、S

2、DRAM三種存儲(chǔ)介質(zhì)和相應(yīng)的存儲(chǔ)器控制器。具體內(nèi)容包括：首先，針對(duì)超哈佛總線結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)吞吐量大的特點(diǎn)設(shè)計(jì)了一個(gè)控制電路，使異步單端口SRAM實(shí)現(xiàn)單周期雙存取功能，成為雙存取SRAM。雙存取SRAM不僅可以滿足超哈佛結(jié)構(gòu)對(duì)存儲(chǔ)帶寬的需求，而且面積和功耗與單端口SRAM相差不大，即雙存取SRAM以較小的面積和功耗代價(jià)換來(lái)性能的大幅度提升。其次，在現(xiàn)有的ROM和SDRAM、成功實(shí)現(xiàn)的雙存取SRAM基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了三個(gè)存儲(chǔ)器控制器，使處理器通過(guò)總線可

3、以高效訪問(wèn)ROM、雙存取SRAM和SDRAM。本文根據(jù)所連接的存儲(chǔ)介質(zhì)的不同特點(diǎn)對(duì)存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行針對(duì)性的設(shè)計(jì)并且給出了控制器內(nèi)部模塊的詳細(xì)說(shuō)明。最后，搭建了一個(gè)混合仿真環(huán)境，對(duì)整個(gè)雙存取SRAM進(jìn)行仿真，并且給出了單端口SRAM、雙端口SRAM和雙存取SRAM在面積和功耗上的比較結(jié)果，另外對(duì)三個(gè)存儲(chǔ)器控制器分別進(jìn)行仿真，證明控制器的設(shè)計(jì)行之有效，整個(gè)存儲(chǔ)器系統(tǒng)與mDSP實(shí)現(xiàn)良好兼容。關(guān)鍵詞：數(shù)字信號(hào)處理器，雙存取SRAM，SDRAM，