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1、石墨烯是由單層碳原子以sp2雜化軌道形成的呈六角晶格排布的二維平面薄膜。特殊的結(jié)構(gòu)使石墨烯在光、電、熱、化學(xué)及機(jī)械性能等方面表現(xiàn)出極具吸引力的應(yīng)用潛力,例如場(chǎng)效應(yīng)晶體管、太陽(yáng)能電池、透明導(dǎo)電薄膜等。目前,在金屬催化基底上大面積、低成本合成高質(zhì)量石墨烯的化學(xué)氣相沉積法(Chemical VaporDeposition,簡(jiǎn)稱(chēng)CVD)的不斷改進(jìn),為石墨烯代替?zhèn)鹘y(tǒng)的透明導(dǎo)電薄膜氧化銦錫(ITO)的應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。但是,石墨烯應(yīng)用為透明導(dǎo)電薄膜時(shí)
2、存在以下幾個(gè)問(wèn)題:(a)電子設(shè)備的應(yīng)用要求石墨烯存在于不導(dǎo)電基底上,但不導(dǎo)電基底上直接生長(zhǎng)的石墨烯薄膜尺寸小、質(zhì)量不高、存在一定的缺陷,所以CVD法在鎳、銅等金屬催化基底上合成的石墨烯必須進(jìn)行轉(zhuǎn)移。(b)目前石墨烯的轉(zhuǎn)移手段主要依靠有機(jī)物作為載體輔助,主要方法為聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)轉(zhuǎn)移法和熱釋放膠帶(Thermal release tape)轉(zhuǎn)移法。然而這兩種方法都存在缺陷,PMMA和熱釋放膠帶的殘留都會(huì)對(duì)石墨烯基透明導(dǎo)電薄膜的
3、性能造成影響。針對(duì)以上問(wèn)題,我們主要通過(guò)用CVD法在銅上直接生長(zhǎng)4層左右的石墨烯,同時(shí)改進(jìn)石墨烯的轉(zhuǎn)移工藝,獲得表面干凈整潔、性能優(yōu)良的石墨烯基透明導(dǎo)電薄膜。具體研究工作如下:
(1)常壓CVD法制得的單層石墨烯難以達(dá)到單晶狀態(tài),其透光率可高達(dá)97.7%,但方塊電阻通常為300Ω/sq左右,當(dāng)代替ITO作為透明導(dǎo)電薄膜應(yīng)用時(shí),電阻偏大。為了達(dá)到90%左右的透光率,幾十Ω/sq的方塊電阻,我們用常壓CVD法在銅上直接生長(zhǎng)4層左右
4、的石墨烯,然后再轉(zhuǎn)移至不導(dǎo)電基底上。直接生長(zhǎng)4層左右的石墨烯有兩點(diǎn)好處:其一,常壓CVD法生長(zhǎng)多層石墨烯比單層石墨烯的制備工藝簡(jiǎn)單;其二,在進(jìn)行轉(zhuǎn)移時(shí),4層左右的石墨烯可以一次性完成轉(zhuǎn)移,不需一層一層反復(fù)多次至4層,減少PMMA或熱釋放膠帶的殘留量。我們分別從生長(zhǎng)溫度、生長(zhǎng)基底、碳源和生長(zhǎng)時(shí)間等方面進(jìn)行一系列對(duì)比實(shí)驗(yàn),最終得到生長(zhǎng)4層左右石墨烯的最佳實(shí)驗(yàn)參數(shù)。
(2)提出了一種新型的石墨烯轉(zhuǎn)移方法—直接接觸轉(zhuǎn)移法,它是一種無(wú)聚
5、合物輔助的石墨烯轉(zhuǎn)移法,所以不存在PMMA和熱釋放膠帶等有機(jī)聚合物的殘留問(wèn)題。通過(guò)與傳統(tǒng)轉(zhuǎn)移方法在拉曼光譜、透光率、方塊電阻等方面的對(duì)比表征發(fā)現(xiàn),新的轉(zhuǎn)移方法在轉(zhuǎn)移后石墨烯的質(zhì)量、透光性、導(dǎo)電性等性能方面均有明顯提高。新的轉(zhuǎn)移方法有效地解決了石墨烯表面PMMA和熱釋放膠帶的殘留問(wèn)題,而且在轉(zhuǎn)移過(guò)程中無(wú)需高溫退火等處理,轉(zhuǎn)移之后石墨烯的表面干凈平整,不被破壞。直接接觸轉(zhuǎn)移法是一種簡(jiǎn)單有效的可以高質(zhì)量、大面積、一次性轉(zhuǎn)移石墨烯的方法,適用于
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