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文檔簡(jiǎn)介
1、隨著半導(dǎo)體大規(guī)模集成電路的不斷發(fā)展,集成度的日益提高,半導(dǎo)體芯片日益復(fù)雜,其可靠性要求隨著提高,產(chǎn)品要通過眾多可靠性試驗(yàn)的考驗(yàn),而與可靠性息息相關(guān)的失效分析技術(shù)變得越來越重要。于是在現(xiàn)代半導(dǎo)體可靠性領(lǐng)域中,如何快速準(zhǔn)確地定位失效,找到失效根源變成了一個(gè)非常重要的課題。
本文闡述了可靠性試驗(yàn)、失效模式,失效機(jī)理,失效分析流程等系統(tǒng)知識(shí)。在介紹了針對(duì)封裝層面的無損分析:X-RAY/SAM以及用于確認(rèn)失效的電性分析后,主要對(duì)電性失效
2、分析(EFA)定位技術(shù):EMMI/InGaAs/OBIRCH/PVC進(jìn)行了對(duì)比研究。在定位到失效表面位置后,為了驗(yàn)證物理失效及觀察詳細(xì)的失效點(diǎn)物理形貌,又大力介紹了用于物理驗(yàn)證的PFA物性分析技術(shù):Delayer/Cross section(FIB),以及先進(jìn)的觀察工具:SEM/TEM。
對(duì)于失效定位分析技術(shù)當(dāng)前遇到的挑戰(zhàn)分享了一些解決方案:FIB與EFA定位技術(shù)聯(lián)用在一些IC內(nèi)局部失效的分析上解決了加電方案的困難;而背面處理
3、封裝技術(shù)則解決了小尺寸的QFN、大尺寸的BGA、chip級(jí)的CSP等芯片的背面制樣難題,在原有的傳統(tǒng)背面研磨制樣基礎(chǔ)上,擴(kuò)寬了背面定位技術(shù)的應(yīng)用范圍。
通過兩個(gè)典型的可靠性試驗(yàn)與失效分析案例:ESD分析及熱效應(yīng)案例,貫穿失效分析流程,聯(lián)系可靠性試驗(yàn)/測(cè)試,從失效背景到找到失效點(diǎn)/根源,也從中說明了可靠性試驗(yàn)/測(cè)試與失效分析之間的密切關(guān)聯(lián)。
最后一章對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體可靠性失效分析技術(shù)進(jìn)行了總結(jié)與概括,并對(duì)新形勢(shì)下的三維封裝
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