微光子集成芯片的關(guān)鍵工藝研究.pdf

1、隨著網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)需求的增長(zhǎng)，人們對(duì)寬帶有了更多的需求。為了適應(yīng)這一需求，“寬帶中國(guó)”國(guó)家戰(zhàn)略已經(jīng)進(jìn)入實(shí)施階段，光纖接入是實(shí)現(xiàn)“寬帶中國(guó)”戰(zhàn)略的基礎(chǔ)，光分配節(jié)點(diǎn)是光纖接入網(wǎng)絡(luò)的重要組成部分，而平面光波導(dǎo)分路器是其最重要的器件之一。分路器市場(chǎng)需要量日益增長(zhǎng)，已經(jīng)成為光通信產(chǎn)業(yè)的熱點(diǎn)之一。本文主要內(nèi)容包括:
　　(1)研究了波導(dǎo)與光纖之間的模場(chǎng)匹配損耗和對(duì)準(zhǔn)偏差損耗特性。分析了橫向錯(cuò)位、縱向間距和軸向角度對(duì)準(zhǔn)因素對(duì)波導(dǎo)和光纖耦合損耗的影響。

2、采用雙峰模場(chǎng)匹配法，優(yōu)化了過渡波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，減少了過渡損耗。
　　(2)研究了二氧化硅光波導(dǎo)的制作工藝。采用等離子體化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)二氧化硅薄膜，研究了二氧化硅薄膜摻雜工藝和等離子體化學(xué)氣相沉積工藝參數(shù)對(duì)二氧化硅薄膜生長(zhǎng)速率、折射率和應(yīng)力的影響;采用光刻和刻蝕制作了二氧化硅波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，優(yōu)化了石英基二氧化硅波導(dǎo)光刻工藝，研究了電感耦合等離子體的工藝參數(shù)對(duì)二氧化硅薄膜刻蝕速率的影響;采用退火爐對(duì)二氧化硅波導(dǎo)進(jìn)行退火處理，研究了退火對(duì)二氧化硅