射頻模塊成型缺陷與工藝參數(shù)的關(guān)系研究.pdf

1、與傳統(tǒng)的封裝工藝技術(shù)相比，低溫共燒陶瓷（LTCC）技術(shù)因其具有優(yōu)良的高頻特性、小線寬和低阻抗而倍受矚目，但其工藝過(guò)程復(fù)雜，容易造成缺陷。造成缺陷的影響因素很多，研究主要影響因素與缺陷的關(guān)系是準(zhǔn)確控制工藝參數(shù)的基礎(chǔ)，也是制造出高質(zhì)量產(chǎn)品的重要前提。本文針對(duì)某種射頻模塊，運(yùn)用理論分析與仿真實(shí)驗(yàn)相結(jié)合的方法對(duì) LTCC技術(shù)成型過(guò)程中的缺陷進(jìn)行分析，建立成型缺陷主要影響因素與缺陷評(píng)價(jià)指標(biāo)之間的關(guān)系模型，為工藝參數(shù)的優(yōu)化打下基礎(chǔ)，提高射頻模塊的成

2、型質(zhì)量。為此本文從以下幾個(gè)方面進(jìn)行了研究：
　?。?）成型缺陷的仿真分析。根據(jù)試制樣件中存在的缺陷問(wèn)題，檢測(cè)出四種主要成型缺陷：微通道變形、基板翹曲、層間垂直互聯(lián)錯(cuò)位、共晶焊接空洞，通過(guò)理論分析，研究缺陷的形成機(jī)制。根據(jù)成型缺陷的形成環(huán)境，利用 ANSYS Workbench軟件完成對(duì)四種成型缺陷的有限元仿真分析。
　　（2）成型缺陷影響因素分析。根據(jù)缺陷對(duì)樣件成型質(zhì)量和功能特性的影響程度，提取缺陷的尺寸特征、紋理特征、形狀

3、特征等，確定缺陷的目標(biāo)函數(shù)。利用正交試驗(yàn)方法，完成多組工藝條件下的缺陷仿真分析，從各影響因素中提取成型缺陷的主要影響因素。
　　（3）成型缺陷與工藝參數(shù)關(guān)系模型的建立。在識(shí)別出成型缺陷主要影響因素的基礎(chǔ)上，進(jìn)行多水平主要影響因素的正交試驗(yàn)，而其它次要影響因素選取對(duì)成型質(zhì)量有利的值，基于響應(yīng)面法以及麥夸特法，建立起成型缺陷目標(biāo)函數(shù)與主要影響因素之間的關(guān)系模型。
　?。?）關(guān)系模型準(zhǔn)確性的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。為確保建模方法和仿真結(jié)果的正確