GIS變電站智能組件抗傳導(dǎo)干擾性能研究.pdf

1、隨著智能變電站的建設(shè)并投入使用，變電站智能組件的電磁兼容性能問題越來越突出。尤其是GIS變電站，其開關(guān)操作引起的VFTO傳導(dǎo)干擾十分嚴(yán)重，有可能損害智能組件，使二次系統(tǒng)或監(jiān)測系統(tǒng)發(fā)生誤動、誤判，嚴(yán)重影響智能組件的安全運(yùn)行。此外，智能組件在長期的運(yùn)行過程中，受到電磁環(huán)境、氣候溫度變化、污穢等多種因素的影響，智能組件及其相應(yīng)的濾波裝置的元器件參數(shù)會因老化等原因不可避免地發(fā)生變化，智能組件的電磁兼容性能下降，給智能組件的安全運(yùn)行留下隱患。因此

2、，研究GIS智能組件的抗傳導(dǎo)干擾措施，以及智能組件電磁兼容性能的測試方法，及時(shí)了解智能組件的電磁兼容性能，預(yù)防智能組件的電磁兼容性故障，對GIS的安全運(yùn)行具有重要意義。
　　本文針對GIS智能組件的電磁兼容問題開展以下三個(gè)方面的研究工作。
　　其一，分析GIS開關(guān)操作產(chǎn)生的VFTO對智能組件的傳導(dǎo)干擾，通過搭建VFTO對智能組件傳導(dǎo)干擾的ATP-EMTP仿真模型，仿真研究了GIS外殼接地阻抗、智能組件的位置以及智能組件外殼的

3、耦合電容等因素對VFTO對傳導(dǎo)干擾的影響。
　　其二，分析了VFTO傳導(dǎo)干擾抑制措施，分析計(jì)算了抑制VFTO傳導(dǎo)干擾的EMI濾波器的頻率特性及插入損耗，并采用ATP-EMTP進(jìn)行仿真，結(jié)果表明該濾波器可以有效的抑制進(jìn)入智能組件的VFTO傳導(dǎo)干擾。
　　其三，分析了濾波器、智能組件與外殼耦合電容等參數(shù)變化對VFTO抑制效果的影響;針對智能組件及濾波器元器件參數(shù)在長期運(yùn)行過程中因老化或其他因素的影響發(fā)生變化，致使其電磁兼容性能下