Cu氧化物薄膜及納米線(xiàn)器件的電阻開(kāi)關(guān)特性研究.pdf

1、本文主要研究了氧化銅納米線(xiàn)（CuO NW）器件和銅氧化物薄膜器件的電阻開(kāi)關(guān)特性。
　　首先，采用熱氧化法制備了大量的CuO NW，利用一種簡(jiǎn)單的液體點(diǎn)滴法進(jìn)行 CuO NW電阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器（RRAM）器件的組裝，對(duì)CuO NW器件表面形貌、電學(xué)性能進(jìn)行了表征，結(jié)果發(fā)現(xiàn)一維的CuO NW RRAM器件具有明顯的電阻開(kāi)關(guān)特性，進(jìn)一步的分析表明這種電阻開(kāi)關(guān)效應(yīng)可以用導(dǎo)電燈絲的熱效應(yīng)進(jìn)行解釋。
　　接著，利用直流磁控濺射法，在載玻片

2、和FTO導(dǎo)電玻璃上采用不同的沉積條件（氧氣流量分別6 sccm、9 sccm、12 sccm、15 sccm、18 sccm、21 sccm、24 sccm）分別濺射了具有不同氧含量的Cu氧化物薄膜，通過(guò)X射線(xiàn)衍射（XRD）和透射譜的測(cè)量，發(fā)現(xiàn)隨著氧氣流量的不斷變化，薄膜成分從純的Cu2O變?yōu)镃u2O和CuO的混合物，最后又變?yōu)榧兊腃uO。
　　最后，制備了不同電極材料（Ag、Cu）、不同立體結(jié)構(gòu)（平面結(jié)構(gòu)、立體結(jié)構(gòu)）、不同氧分量

3、（CuO、Cu2O）的Cu氧化物薄的RRAM器件。通過(guò)電學(xué)測(cè)試對(duì)比，我們發(fā)現(xiàn)了以下四點(diǎn)：1）平面結(jié)構(gòu)的Cu氧化物薄膜RRAM器件阻變現(xiàn)象不明顯。2）用Cu電極和Ag電極制作的RRAM器件都觀(guān)察到了雙極型特性，前者制作的RRAM器件具有更大的高低阻值比；且Cu電極RRAM器件能觀(guān)察到單極型的阻變現(xiàn)象。3）在以Cu電極作為上電極的銅氧化物薄膜立體結(jié)構(gòu)的RRAM器件中，CuO薄膜的RRAM器件比 Cu2O薄膜的RRAM器件更穩(wěn)定，可控性和耐受