GeH單層膜的研究與制備.pdf

1、石墨烯(Graphene)的制備與應用已經(jīng)表明，從三維晶體中剝離穩(wěn)定的、單原子層厚的二維材料不僅是可行的，而且這些材料與原三維體材料相比可能具有完全不同的性質(zhì)。由于Graphene的sp2雜化狀態(tài)，改變其表面化學狀態(tài)是非常具有挑戰(zhàn)性的，這使得其應用受到限制。在碳的同族元素中(Si和Ge)，可能存在結(jié)構(gòu)上類似于石墨烯的層狀材料并是sp3雜化狀態(tài)，這使得表面化學狀態(tài)的改變成為可能。這種表面化學狀態(tài)的調(diào)節(jié)，可能會實現(xiàn)光電子學應用中所必需的可調(diào)

2、帶隙。GeH(GeH)是一種類似于Graphene的二維材料，由于其優(yōu)越的特性，已經(jīng)成為了新的研究熱點。
　　GeH是Ge的一種衍生物，可以通過CaGe2合金與濃鹽酸反應制備，而CaGe2可以使用Ge與Ca高溫反應制備。本論文首先研究了不同的反應物配比、不同溫度對CaGe2合金制備的影響。XRD測試結(jié)果表明，使用物質(zhì)的量配比為Ca∶Ge=1∶2、在高溫下(～1000℃)可制備出較純的CaGe2。使用制備出的CaGe2與濃鹽酸在低溫