高性能注入鎖定分頻器關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf

1、分頻器作為射頻集成電路中一般工作于最高頻率的單元，對系統(tǒng)性能具有決定性作用。其中，注入鎖定分頻器（injection-locked frequency divider, ILFD）以其結(jié)構(gòu)簡單、工作頻率高、功耗低等優(yōu)異特性，已逐漸成為研究的熱點。但是，現(xiàn)有注入鎖定模型過于復(fù)雜，難以有效指導(dǎo)ILFD電路的優(yōu)化設(shè)計；由于對環(huán)路品質(zhì)因數(shù)、帶寬等參數(shù)存在不同要求，設(shè)計中很難實現(xiàn)同時改善ILFD鎖定范圍、功耗等關(guān)鍵特性；工藝和溫度的變化很容易導(dǎo)致

2、電路失效。
　　本文介紹了注入鎖定現(xiàn)象產(chǎn)生的本質(zhì)及注入鎖定分頻器電路的工作原理，并對注入鎖定分頻器的關(guān)鍵設(shè)計指標(biāo)進行了歸納和總結(jié)，在全面分析其理論模型演變、電路拓撲架構(gòu)種類及注入鎖定行為的基礎(chǔ)上，深入研究注入鎖定分頻器各參數(shù)之間的相互作用機制。
　　最后，本文采用Chartered0.18μm2P5M RF CMOS工藝，提出了一種低壓低功耗、寬鎖定范圍、低復(fù)雜度的二分頻直接注入鎖定分頻器，并完成了電路的設(shè)計、仿真、優(yōu)化、版