[Fe65Co35-ZnO]n多層膜的高頻軟磁性質(zhì).pdf

1、隨著社會經(jīng)濟的快速發(fā)展，電子產(chǎn)品朝著微型化和高頻化的方向發(fā)展。為了進一步滿足磁性電子元器件的應用需求，我們用半導體材料取代先前的絕緣體材料分別在玻璃基底和硅基底上制備鐵磁金屬/半導體多層膜。本文中，我們利用直流和射頻磁控濺射的方法，制備了[Fe65Co35/ZnO]n多層膜。而且還通過X射線衍射儀、高分辨率透射電鏡、振動樣品磁強計、直流四探針法以及矢量網(wǎng)絡分析儀對樣品的結構、微結構、電性和磁性進行了一系列的研究。具體研究結果如下：

2、>　　X射線衍射結果表明：隨著半導體ZnO層厚度t的逐漸增加，ZnO的結晶度越來越好。金屬顆粒的結構呈面心立方晶體的結構，并且Fe65Co35的顆粒尺寸從3.4nm減小到2.7nm。在傾斜濺射的[Fe65Co35/ZnO]50多層膜中，隨著t的增加，樣品的共振頻率fr大約4GHz并且?guī)缀醣３植蛔儭＿@是由于氧化鋅層厚度的增加使得薄膜的飽和磁化強度減小和動態(tài)各向異性場增加共同引起的。氧化鋅層厚度t=3.5nm的電阻率達到2420μΩ?cm，

3、μ'2G和μ'3G逐漸減小但μ'2G仍大于90，而μ″2G卻保持一個很低的值(<1.55)。因此，當外場的頻率達到2GHz時，品質(zhì)因子大于150，甚至在外部頻率為3GHz時也大于2.6。這么高的電阻率和品質(zhì)因子說明我們的樣品可以很好的應用在高頻環(huán)境。
　　另外，不同緩沖層對薄膜的軟磁性質(zhì)和高頻性質(zhì)影響不同，F(xiàn)eNi緩沖層與鐵磁金屬層發(fā)生交換耦合作用使得FeNi緩沖層樣品中具有較大的面內(nèi)單軸各向異性場，而ZnO緩沖層會影響多層膜中鐵