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文檔簡介
1、本論文采用了金屬分別做為半反射電極和全反射電極的雙金屬電極結構制備了高性能的有機微腔電致發(fā)光器件,電極都是由金屬Al構成,具體工作包含以下幾個方面:
(1)在底發(fā)光OLED中,首先優(yōu)化半透明陽極Al的厚度,使其光學和電學性能獲得最佳協(xié)調(diào)性,半反射電極厚度為16nm時器件的性能最優(yōu),電流效率最大值為4.03cd/A。由于在半透明的金屬電極出光側加上耦合層會改善發(fā)光性能,基于此我們研究了耦合層材料的厚度和折射指數(shù)與器件性能之間的關
2、系。本論文選用Alq3和BCP作為出光耦合層研究其對微腔性能的影響。實驗中獲得:50nm厚度的BCP作為出光耦合層時可使電極在530nm處的透光率從45%提高到56%,相應發(fā)光器件的電流效率也達到5.49cd/A,比ITO標準器件的效率(5.0cd/A)提高了10%。并且當觀察角度從0o增加到60o時,EL譜譜峰移動的距離也從28nm減小到了12nm,大幅度減弱了微腔器件角度依賴的特性。
?。?)在頂發(fā)光OLED中,由于作為頂電
3、極的薄金屬Al極易在空氣中氧化,因此器件在蒸鍍完成之后需要在氮氣環(huán)境中進行封裝,本節(jié)采用傳統(tǒng)的蓋玻片封裝方式對器件進行封裝處理。另外,選用折射指數(shù)較高的有機材料BCP作為光輸出耦合層蒸鍍在器件陰極的上方,有效地改善了陰極的透光率,使器件的效率提高了12%,達到6.51cd/A。由于微腔效應強度的減弱,器件的角度依賴問題也得到了顯著地改善。
?。?)研究了MoO3和V2O5作為空穴注入層時對雙Al電極結構的倒置發(fā)光器件的修飾作用,
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