水熱法生長ZnO納米線及其表面修飾場發(fā)射特性研究.pdf

1、ZnO是一種十分重要的直接帶隙半導(dǎo)體材料，禁帶寬度屬于寬帶隙。在室溫條件下，它的禁帶寬度達(dá)到3.37eV,激子束縛能達(dá)到60meV,與此同時ZnO也具備著非常優(yōu)良的物理性質(zhì)和化學(xué)性質(zhì)。這些優(yōu)異的性能特點(diǎn)保證了ZnO半導(dǎo)體材料能夠在光電器件、短波長發(fā)光器件、氣敏傳感器件和壓電傳感器件等相關(guān)領(lǐng)域有著非常巨大的應(yīng)用前景。一維的ZnO納米半導(dǎo)體材料，因?yàn)榫哂斜缺砻娣e大、電子傳輸性能優(yōu)異和化學(xué)活性高等特點(diǎn)，所以在壓電、光探測、光催化以及以場發(fā)射為

2、原理的顯示器等領(lǐng)域展現(xiàn)出更加強(qiáng)大的應(yīng)用潛力。但是，ZnO納米材料本身的性能還不足以滿足各種器件的需求，因此，人們希望通過對ZnO納米材料的修飾來實(shí)現(xiàn)ZnO納米材料相關(guān)性能的提升。
　　本文主要研究了ZnO納米線的生長條件，然后用Ag對ZnO納米線進(jìn)行了修飾，主要工作及結(jié)論如下:
　　(1)使用水溶液法進(jìn)行ZnO納米尖的生長，在生長ZnO納米尖的實(shí)驗(yàn)過程中，主要研究了配置生長溶液時去離子水的溫度對ZnO納米尖生長的影響，結(jié)果表

3、明，當(dāng)配置溶液時去離子水的溫度比較低時，生長結(jié)束后經(jīng)過冷水降溫后更容易生長出ZnO納米尖。
　　(2)對于在ZnO納米線頂端沒有生長形成納米尖的樣品進(jìn)行表面修飾，我們選用Ag作為修飾材料，通過真空熱蒸發(fā)法實(shí)現(xiàn)對ZnO納米線表面的修飾。對修飾后的ZnO納米線進(jìn)行了相關(guān)性能的表征，與未經(jīng)過修飾的ZnO納米線相關(guān)性能進(jìn)行對比。結(jié)果表明，當(dāng)Ag在ZnO納米線表面形成納米顆粒時，樣品的光吸收能力增強(qiáng)，但是對于光吸收性能的增強(qiáng)作用存在一個臨界