類電磁誘導(dǎo)透明效應(yīng)的理論與工藝研究.pdf

1、近年來(lái)光通信與光計(jì)算技術(shù)正在飛速發(fā)展，光作為一種新興的信息載體，控制光傳輸?shù)募夹g(shù)顯得越來(lái)越重要，低功耗、高速可調(diào)制、尺寸小和高度集成化的光器件是目前光通信技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)，其中光開(kāi)關(guān)和光緩存器是全光通信中的關(guān)鍵器件，由于“慢光”具有極低的群傳播速度，被認(rèn)為是目前實(shí)現(xiàn)光開(kāi)關(guān)、光緩存器和光存儲(chǔ)器最具潛力的技術(shù)之一，而類EIT（電磁誘導(dǎo)透明）效應(yīng)則可以實(shí)現(xiàn)“慢光”。
　　本文首先對(duì)原子系統(tǒng)中的EIT效應(yīng)進(jìn)行了理論分析，并將其原理應(yīng)用到其他

2、系統(tǒng)中引出類EIT效應(yīng)的概念，本論文主要對(duì)兩個(gè)不同的雙腔耦合波導(dǎo)系統(tǒng)中的類EIT效應(yīng)進(jìn)行了研究分析，采用耦合模式理論計(jì)算和模擬仿真的方法分析了兩個(gè)系統(tǒng)并且在透射譜曲線中得到了典型的類EIT線型，接下來(lái)設(shè)計(jì)了實(shí)驗(yàn)，對(duì)兩個(gè)系統(tǒng)的制造進(jìn)行了工藝上的探索和研究。
　　對(duì)于二維平板光子晶體類EIT系統(tǒng)，本論文使用電子束曝光、感應(yīng)耦合等離子體刻蝕和濕法腐蝕等工藝手段設(shè)計(jì)并完成實(shí)驗(yàn)，完成了對(duì)超薄GaInP二維光子晶體平板系統(tǒng)的工藝制造，記錄了整