二硫化錫二維材料的制備與表征及電學(xué)性能研究.pdf

1、自從石墨烯被發(fā)現(xiàn)以來，二維材料以其特殊的性質(zhì)引起了人們的極大關(guān)注。目前，有關(guān)二維材料的研究已經(jīng)超出石墨烯材料本身，逐步擴(kuò)展到具有石墨烯層狀結(jié)構(gòu)的其他材料。硫族金屬化合物因其具有類似的層狀結(jié)構(gòu)，愈來愈受到研究人員的重視。本文所介紹的二硫化錫(SnS2)就是這樣一種材料，其層與層之間沒有形成化學(xué)鍵，僅靠微弱的范德瓦耳斯力結(jié)合，可以被制備成二維材料。
　　這里，我們用機(jī)械剝離石墨烯的方法制備了多個SnS2薄層樣品。通過原子力顯微鏡的表征

2、，確定了最薄的樣品厚度為3 nm，層數(shù)在4層左右。在對不同厚度樣品進(jìn)行拉曼光譜表征過程中，觀測到SnS2的特征峰位置隨材料厚度減小發(fā)生移動和分裂的特殊現(xiàn)象，確定了被測樣品的晶格類型。
　　利用微器件加工工藝，我們用4層的SnS2樣品作為溝道材料，制備了一個場效應(yīng)晶體管，并對其電學(xué)性能做了表征。結(jié)果表明:作為溝道材料的SnS2樣品為n型半導(dǎo)體。在室溫條件下，背柵結(jié)構(gòu)的器件中，閾值電壓小于25 V，開關(guān)比超過4×104，載流子遷移率大