基于ETO的逆變器緩沖回路設計及損耗分析.pdf

1、發(fā)射極可關斷晶閘管(ETO)是一個低成本的、能夠滿足電能轉換要求的新型半導體器件。它是半導體設備的一個重要的跨越，基于GTO和MOSFET成熟的技術，ETO對于大功率應用提供了一個較小的成本和先進的解決方法。它具有MOSFET和GTO的優(yōu)點:(1) GTO的高電壓和大電流;(2)高的開關速度可達到kHz;(3)大的關斷安全工作區(qū)。而且，ETO具有以下其他的比較有前景的特點:(1)內置設備電壓電流和溫度傳感器;(2)控制自發(fā)電能力;(3)

2、電流飽和能力。因此對該器件的研究具有重要的意義。
　　本文結合國網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院項目“新型電力電子器件特性對比分析”，針對發(fā)射極可關斷器件ETO，分析闡述了ETO器件的工作原理和工作特性，重點研究了ETO器件的開關特性和損耗特性，根據(jù)ETO器件結構和工作原理初步建立了模型，通過實驗分析了基于ETO的逆變器緩沖回路參數(shù)包括緩沖電感、嵌位電容和緩沖電阻的變化對其開關特性的影響。分析了ETO在逆變器工作時的損耗以及損耗對結溫的影響，為后