電化學(xué)沉積法制備一維金屬納米線陣列.pdf

1、一維銅納米線、一維鎳納米線由于其納米級的尺寸以及線性的結(jié)構(gòu)，具有與傳統(tǒng)材料明顯不同的特征，在電子功能材料、微納米加工、納米電子器件等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。本文以多孔陽極氧化鋁(PAA)為模板，采用直流電化學(xué)沉積法制備一維銅納米線陣列和一維鎳納米線陣列，研究不同的制備工藝對納米線陣列的影響。
　　本文首先采用稀磷酸溶液對殘留在PAA模板表面的氧化鋁阻擋層進行了預(yù)處理，然后使用離子噴鍍儀對PAA模板表面金屬化處理，在PAA模板上噴鍍了一

2、層導(dǎo)電金層。實驗表明:用低濃度的磷酸溶液短時間內(nèi)腐蝕PAA模板能有效去除PAA模板上的氧化鋁阻擋層，同時對PAA模板孔道的影響很小;經(jīng)離子噴鍍儀對PAA模板表面四次噴鍍導(dǎo)電金層后，噴鍍上的金層能完全覆蓋在PAA模板表面且結(jié)合良好，金顆?；ハ嘟佑|，金層致密;另外，較低的初始電流所制得的金層致密度更高，金顆粒之間的空隙更小。
　　以金屬化后的PAA作為制備模板，本文分別采用恒電位與恒電流電化學(xué)沉積技術(shù)制備一維銅納米線陣列。結(jié)果表明:采

3、用恒電流與恒電位這兩種電化學(xué)沉積技術(shù)均能成功的制備出一維銅納米線陣列;采用恒電位技術(shù)制備銅納米陣列時，電位需保持較低值，制得的一維銅納米線排列整齊，高度有序，長度均衡一致;而采用恒電流技術(shù)制備銅納米線陣列沉積效率高于恒電位技術(shù)，能快速制備出較長的銅納米線陣列，但制得的銅納米線長短不一，而且電流密度越大，納米線陣列長度越長，納米線之間的長度差距越大，起伏越明顯。
　　本文還采用恒電流直流電沉積技術(shù)制備了一維鎳納米線陣列，著重研究了溶