場(chǎng)發(fā)射陰極OLED器件的結(jié)構(gòu)及性能研究.pdf

1、有機(jī)電致發(fā)光器件(organic light emitting diodes，OLEDs)作為新一代平板顯示技術(shù)，具有超薄、超輕、視角廣、主動(dòng)發(fā)光、發(fā)光效率高、響應(yīng)時(shí)間短、驅(qū)動(dòng)電壓低、色域廣等一系列的優(yōu)點(diǎn)，成為平板顯示領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)。從2003年起，這種顯示技術(shù)已經(jīng)在MP3播放器等顯示屏上得到應(yīng)用。但是OLED器件在使用壽命和發(fā)光效率方面存在問題，因而限制了它的推廣應(yīng)用。
　　目前，國(guó)內(nèi)外有關(guān)OLED器件的研究大多是尋找更佳的器件

2、結(jié)構(gòu)和發(fā)明新的有機(jī)材料。在器件結(jié)構(gòu)方面，為了能將OLED顯示器和成熟的硅工藝結(jié)合起來，人們提出了硅基頂發(fā)射OLED器件(top-emitting organic light emitting diode，TOLED)。這種器件結(jié)構(gòu)光出自透明頂電極，電路可以設(shè)計(jì)在硅基上，因而解決了發(fā)光面積和驅(qū)動(dòng)電路相互競(jìng)爭(zhēng)的問題，提高了器件的發(fā)光效率。但是TOLED器件在制備過程中，存在透明電極制備困難的問題。為解決這個(gè)問題，本論文主要做了以下三個(gè)方面的

3、工作:
　　(1)功能層厚度匹配的研究。在ITO玻璃襯底上制備了傳統(tǒng)的底發(fā)射OLED器件，研究了電子傳輸層Alq3和空穴傳輸層NPB的厚度匹配對(duì)OLED器件的影響，并討論了空穴緩沖層CuPc對(duì)器件的穩(wěn)定性和壽命的影響。
　　(2)能量過濾磁控濺射技術(shù)制各ITO薄膜的工藝研究。采用能量過濾磁控濺射（energy filtering magnetron sputtering，EFDMS）技術(shù)制備ITO薄膜，討論了過濾電極網(wǎng)柵目數(shù)

4、、襯底溫度對(duì)ITO薄膜光電性能的影響。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn):當(dāng)網(wǎng)柵目數(shù)依次為60目、70目、80目、100目、110目、120目、130目、150目、170目、200目、220目和300目時(shí)，隨著網(wǎng)柵目數(shù)的增加，ITO薄膜的電阻率先降低后增加，透光性先增加后降低。在網(wǎng)柵目數(shù)為200目時(shí)，薄膜的電阻率最低達(dá)4.7×10-4Ω.cm，透光率最高達(dá)到93％。在低溫范圍內(nèi)，ITO薄膜的透光性沒有太大的變化，隨著溫度的升高，ITO薄膜的透過率略增加，電阻率則

5、不斷降低，溫度為90℃時(shí)，薄膜的電阻率最低，透光性最好。
　　(3)TOLED器件的研究。在玻璃襯底上制備了結(jié)構(gòu)為Al/Alq3/NPB/ITO的頂發(fā)射器件，比較EFDMS和DMS方法制備ITO陽極對(duì)TOLED器件的發(fā)光亮度和電流密度的影響。
　　制備Si/C/Alq3/NPB/CuPc/ITO的器件:其中Si片分別用金剛石膏研磨、HF清洗和鍍Ti的方法處理，然后在襯底上制備納米非晶碳膜，比較不同處理方法對(duì)碳膜的表面形貌和結(jié)