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1、自1880年Nobel laureates和Jacque Curie發(fā)現(xiàn)壓電效應(yīng)以來(lái),壓電陶瓷已經(jīng)廣泛的應(yīng)用于材料、化工、航空等各領(lǐng)域。目前,(Pb(Ti,Zr)O3,PZT)類陶瓷是市場(chǎng)上使用得最多的壓電陶瓷。但是,由于Pb重金屬對(duì)環(huán)境污染較大,對(duì)人體有較大傷害,越來(lái)越多的國(guó)家開(kāi)始減少Pb在工業(yè)中的使用,對(duì)應(yīng)的無(wú)鉛壓電陶瓷逐漸受到研究者的關(guān)注。Bi0.5Na0.5TiO3-Bi0.5K0.5TiO3(BNT-BKT)是一種鈣鈦礦型壓電
2、陶瓷,不僅具有較高的電耦合系數(shù)kp和應(yīng)變動(dòng)態(tài)常量Smax/Emax,已有研究表明,部分摻雜改性后的BNKT陶瓷的部分電性能已經(jīng)達(dá)到了PZT陶瓷的數(shù)量級(jí),除此之外,BNKT陶瓷還具有復(fù)雜的相變過(guò)程。本文通過(guò)傳統(tǒng)固相法合成了不同配比的BNT-BKT陶瓷,并進(jìn)行Nb摻雜,分別置于電場(chǎng)環(huán)境下12h,對(duì)樣品進(jìn)行物相和形貌等測(cè)試,分析晶相的變化。
本文以Na2CO3、K2CO3、TiO2和Bi2O3為起始原料,以傳統(tǒng)固相法制備不同配比的(
3、1-x)Bi0.5Na0.5TiO3-xBi0.5K0.5TiO3(x=0.18,0.2,0.3,0.4,0.5)陶瓷,在1170℃下燒結(jié)。對(duì)其進(jìn)行XRD測(cè)試,當(dāng)x=0.18時(shí),陶瓷晶相表現(xiàn)為三方相,而當(dāng)x=0.2~0.4時(shí),則同時(shí)含有三方與四方晶相,當(dāng)x=0.5時(shí),陶瓷表現(xiàn)為四方相。將陶瓷在低壓直流電場(chǎng)中后,當(dāng)電場(chǎng)達(dá)到一定值時(shí),部分三方相逐漸轉(zhuǎn)變成四方相,當(dāng)BKT成分的含量比重繼續(xù)加大,誘導(dǎo)電壓會(huì)逐漸減小,這可能與實(shí)驗(yàn)過(guò)程中,x>0.
4、3時(shí),陶瓷發(fā)生過(guò)燒有關(guān),然而陶瓷在交流電場(chǎng)中并無(wú)相變的發(fā)生。
為了進(jìn)一步探究低壓電壓電場(chǎng)誘導(dǎo)相變的原因,本文再分別以不同濃度的Nb摻雜Bi0.5(Na0.8K0.2)TiO3陶瓷,分別探究在低、高濃度摻雜樣品在低壓電場(chǎng)中的相變現(xiàn)象。本文發(fā)現(xiàn),隨著Nb含量的增加,陶瓷樣品晶型由三方-四方共存向準(zhǔn)立方相轉(zhuǎn)變,并且在Nb濃度達(dá)到3mol%時(shí),陶瓷主晶相表現(xiàn)為準(zhǔn)立方相。而在低壓電場(chǎng)中,Nb含量在低于3mol%摻雜的陶瓷樣品衍射峰均有分
5、裂滑移,向準(zhǔn)立方相轉(zhuǎn)變,而3mol%摻雜樣品衍射峰卻沒(méi)有較明顯變化。
將電場(chǎng)中發(fā)生相變的樣品在室溫中靜置7天后,對(duì)其再次進(jìn)行XRD測(cè)試,發(fā)現(xiàn),在(1-x)BNT-xBKT中當(dāng)x<0.3時(shí)陶瓷相變發(fā)生自恢復(fù),而過(guò)燒后的相變陶瓷(x=0.3,0.4,0.5)不發(fā)生自恢復(fù)現(xiàn)象,這時(shí)由于過(guò)燒樣品中的空位比例發(fā)生變化,在電場(chǎng)作用下使得離子擴(kuò)散,空位比例修復(fù),形成較穩(wěn)定的晶型。于此類似的是,在低濃度Nb摻雜的陶瓷樣品中相變均沒(méi)有發(fā)生可逆現(xiàn)
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