2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩69頁未讀 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、氧化鋅是重要的II-VI族直接帶隙(3.37eV)半導體材料,具備資源豐富、無毒、易實現(xiàn)摻雜等優(yōu)點。由于氧化鋅基薄膜具有良好的光電性能,在發(fā)光器件、透明電極及太陽能電池等領(lǐng)域有著非常廣闊的應(yīng)用遠景。近年來,由于ZnO基材料具有良好的電學性能、高溫穩(wěn)定性以及抗氧化性,使得ZnO基材料的熱電性能引起人們廣泛關(guān)注,因此有必要對其進行系統(tǒng)研究。
  本論文采用射頻磁控濺射方法,在玻璃基底上制備了ZnO:Ga(GZO)、ZnO:Al(AZO

2、)薄膜,利用XRD、SEM、XPS、AFM、Hall等測試手段對薄膜進行表征和分析,研究了不同Ga摻雜濃度(1、3、5、7at.%)ZnO薄膜(GZO1、GZO2、GZO3、GZO4)和摻雜濃度為3at.%的不同濺射時間(0.5、1.0、1.5、2.0h)的Al摻雜ZnO薄膜(AZO1、AZO2、AZO3、AZO4))的結(jié)構(gòu)、形貌、成分、導電性能及磁熱電特性,并對比分析了3at.%相同摻雜濃度下GZO、AZO薄膜的熱電與磁熱電特性。得到

3、的主要結(jié)果如下:
 ?、偎苽涞腉ZO、AZO薄膜均為纖鋅礦多晶結(jié)構(gòu)。薄膜表面平整、顆粒致密,薄膜具有c軸擇優(yōu)取向。薄膜中Zn、Ga、Al分別以Zn2+、Ga3+、Al3+形式存在,未發(fā)現(xiàn)其它價態(tài)的Zn、Ga、Al元素。
 ?、谏倭縂a摻雜可在一定程度上改善GZO薄膜結(jié)構(gòu)和晶體質(zhì)量,而過量的Ga摻雜導致晶粒尺寸減小;GZO薄膜導電性能隨Ga摻雜濃度的增加而提高,但當摻雜濃度大于5at.%時,電阻率增大,可能與生成了鎵的氧化物

4、有關(guān)。隨濺射時間的增加,AZO薄膜的導電性能逐漸提高,主要歸因于隨著濺射時間的增長,改善了薄膜結(jié)晶質(zhì)量。
 ?、跥ZO和AZO薄膜都具有較明顯的熱電效應(yīng),Seebeck系數(shù)均為負,表現(xiàn)出n型導電行為,GZO薄膜的塞貝克系數(shù)的絕對值(|S|)和功率因子均隨Ga的摻雜量的增加而減小,摻雜濃度為1at.%的GZO薄膜功率因子最大,值為5.34×10-4Wm-1k-2。AZO薄膜的|S|值較大,其|S|值隨沉積時間的增加而減小。
 

5、?、茉谕饧哟艌鱿?不同摻雜濃度的GZO薄膜的|S|值隨磁場強度的增強呈現(xiàn)出先增大后減小的趨勢,不同GZO薄膜受到磁場的影響大小不同;不同濺射時間的AZO薄膜的|S|值隨磁場強度的增加而減小,其中0.5h濺射的AZO薄膜的|S|值受磁場影響較大。
 ?、菰诖艌鱿?相同制備條件下的AZO和GZO薄膜的|S|值隨磁場的變化趨勢不同,AZO的|S|值隨磁場的增大而減小,而GZO薄膜的|S|值隨磁場的增強而增大。從電子傳輸觀點分析認為,該差

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論