10kV觸頭盒污穢、局部缺陷狀態(tài)下的電場(chǎng)仿真研究.pdf

1、隨著我國(guó)電力系統(tǒng)的不斷發(fā)展，開關(guān)柜以其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、維護(hù)工作小、便于操作等優(yōu)點(diǎn)大量應(yīng)用于電力系統(tǒng)中。絕緣問題是電力設(shè)備安全穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵影響因素之一。開關(guān)柜作為電力系統(tǒng)中重要的一員，研究其絕緣性能是十分必要的，而觸頭盒作為開關(guān)柜中重要的絕緣件，對(duì)可能導(dǎo)致其絕緣性能損壞的因素進(jìn)行研究十分重要。
　　目前國(guó)內(nèi)外對(duì)于高壓絕緣損壞的研究主要集中在高壓絕緣子，從多個(gè)角度出發(fā)，對(duì)引起絕緣子損壞的原因進(jìn)行了分析。但對(duì)于開關(guān)柜內(nèi)部觸頭盒絕緣損壞的研究

2、卻不多。本文提出對(duì)開關(guān)柜母線室建立三維模型，從電場(chǎng)的角度分析污穢和氣泡缺陷這兩種情況對(duì)觸頭盒的影響。
　　本文首先對(duì)污穢度的檢測(cè)、污閃、氣泡放電的國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀進(jìn)行了介紹，分析了電場(chǎng)計(jì)算的理論基礎(chǔ)，對(duì)本文使用的仿真軟件ANSYS進(jìn)行了簡(jiǎn)單的介紹，同時(shí)詳細(xì)介紹了有限元法計(jì)算電場(chǎng)的過程。
　　本文借助有限元分析軟件ANSYS，建立開關(guān)柜母線室三維立體模型，對(duì)觸頭盒表面存在干污穢、濕污穢、干燥帶、局部污穢這幾種可能導(dǎo)致觸頭盒絕緣損

3、壞的情況進(jìn)行了詳細(xì)的分析，分析了在這幾種情況下觸頭盒表面電位與電場(chǎng)強(qiáng)度的變化情況。仿真結(jié)果表明:干污穢對(duì)觸頭盒表面電場(chǎng)強(qiáng)度影響較小，對(duì)觸頭盒性能沒有影響;濕污穢導(dǎo)致觸頭盒表面最大電場(chǎng)強(qiáng)度是正常情況時(shí)的1/10，但泄露電流卻為正常時(shí)的107倍;干燥帶導(dǎo)致其邊緣處電場(chǎng)強(qiáng)度是正常情況時(shí)的5倍。
　　其次分析了觸頭盒存在氣泡缺陷時(shí)的電場(chǎng)分布情況，對(duì)不同位置、不同大小的氣泡缺陷分別進(jìn)行了詳細(xì)的研究，分析它們對(duì)電場(chǎng)強(qiáng)度的影響。結(jié)果表明越靠近開