GaSb-InAs異質結隧穿場效應晶體管的性能分析.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著信息技術的進步，集成電路迅猛發(fā)展，要求單個半導體器件的尺寸不斷減小，隨之而來的便是功耗的增加，而這正是目前集成電路發(fā)展的最大障礙.為了解決電路能耗問題，隧穿場效應晶體管以不同于傳統(tǒng)場效應管的工作原理，作為最理想的替代品成為國際上的重點研究對象.
　　本文通過對一維泊松方程的求解得到了關于溝道內表面勢的表達式，從而得出了導帶和價帶的能帶分布情況，在有效質量近似下，利用Wentzen-Krammel-Brillouin(WKB)近

2、似方法，研究了由GaSb/InAs形成的異質結隧穿場效應晶體管(TEFT)的隧穿幾率與隧穿電流，通過數(shù)值計算討論了GaSb/InAs異質結TFET的傳輸特性與柵極電壓、偏壓以及材料厚度等的變化關系.由于Ⅱ型的異質結構特點，溝道電壓容易控制異質結界面處能帶，使得由小帶隙材料GaSb/InAs形成的晶體管的有效隧穿長度變小，因此得到了較高的開啟電流，且具有比傳統(tǒng)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)更低的亞閾值擺幅，突破了室溫下60m

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