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文檔簡介
1、在未來的空間環(huán)境內(nèi),多模式多標(biāo)準(zhǔn)多頻段的無線通信應(yīng)用廣泛共存將是無線通信技術(shù)發(fā)展的一個(gè)重要趨勢。集成了多種無線通信系統(tǒng)的單一芯片具有廣泛的應(yīng)用前景,因此支持多模式多標(biāo)準(zhǔn)的射頻收發(fā)機(jī)成為了人們的研究熱點(diǎn)。而抗阻塞性能一直是寬帶多模式多標(biāo)準(zhǔn)接收機(jī)設(shè)計(jì)過程中的瓶頸之一,本文將對抗阻塞接收機(jī)的射頻前端進(jìn)行研究和設(shè)計(jì)。
本論文基于TSMC0.18μm RF CMOS工藝設(shè)計(jì)了一個(gè)應(yīng)用于多模多標(biāo)準(zhǔn)射頻收發(fā)機(jī)中的抗阻塞射頻前端,包含寬帶低噪
2、聲放大器和阻抗轉(zhuǎn)移網(wǎng)絡(luò)。寬帶低噪聲放大器采用電容交叉耦合共柵結(jié)構(gòu),以無源混頻器為基礎(chǔ)的阻抗轉(zhuǎn)移網(wǎng)絡(luò)將基帶阻抗特性搬移至射頻頻段,在射頻頻段實(shí)現(xiàn)了高Q值的濾波。寬帶低噪聲放大器采用3V電壓供電,工作頻段覆蓋0.6GHz~2.8GHz,頻段內(nèi)S11小于-18.0dB,S21大于18.2dB,噪聲系數(shù)小于2.9dB,IIP3為-0.55dBm,OIP3為18.14dBm。射頻前端的抗阻塞性能可以通過調(diào)節(jié)電容陣列控制字調(diào)節(jié)。當(dāng)設(shè)置為最窄中頻帶寬
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